СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
Представлены результаты разработки технологии и исследования оптических характеристик высокоапертурных ПОВ на основе SiO₂-F | SiO₂ | SiO₂-F-структур, формируемых в плазме СВЧ-разряда....
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53682 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов / В.В. Григорьянц, А.П. Долгов, Л.Ю. Кочмарёв, И.П. Шилов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |