Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge

Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge

На модельных образцах нейтронно-легированного Се испытана оригинальная методика отжига полупроводников в условиях воздействия ультразвука.

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2004
Автори:	Олих, Я.М., Лисюк, И.А., Тимочко, Н.Д.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Назва видання:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:	Материалы для микроэлектроники
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/54421
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge / Я.М. Олих, И.А. Лисюк, Н.Д. Тимочко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 10-13. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Опис
Резюме:	На модельных образцах нейтронно-легированного Се испытана оригинальная методика отжига полупроводников в условиях воздействия ультразвука.