Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
На модельных образцах нейтронно-легированного Се испытана оригинальная методика отжига полупроводников в условиях воздействия ультразвука.
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/54421 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge / Я.М. Олих, И.А. Лисюк, Н.Д. Тимочко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 10-13. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |