Фононне гальмування дислокацій у кристалах KCL з різним станом дислокаційної структури
Iмпульсним методом в областi частот 22,5–232,5 Мгц i T = 300 К дослiджено дислокацiйний резонанс в монокристалах KCl iз залишковою деформацiєю ε = 0,17–1,8%. На основi аналiзу отриманих даних було встановлено, що в умовах варiювання параметрiв дислокацiйної структури iстотно змiнюється лише частотна...
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | Петченко, О.М., Петченко, Г.О. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Відділення фізики і астрономії НАН України
2010
|
Назва видання: | Український фізичний журнал |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56222 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Фононне гальмування дислокацій у кристалах KCL з різним станом дислокаційної структури / О.М. Петченко, Г.О. Петченко // Український фізичний журнал. — 2010. — Т. 55, № 6. — С. 716-722. — Бібліогр.: 23 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Вплив деформаційних ефектів на електричні властивості структури метал−напівпровідник−легований напівпровідник
за авторством: Пелещак, Р.М., та інші
Опубліковано: (2010) -
Дослідження передачі енергії хвиль Лемба в електрично зв’язаних пластинах LiNbO₃
за авторством: Бурлій, П.В., та інші
Опубліковано: (2010) -
Ефективність взаємодії міжвузловинного вуглецю з киснем, оловом і вуглецем заміщення в опроміненому кремнії
за авторством: Гриценко, М.І., та інші
Опубліковано: (2010) -
Вплив одновісного тиску на двопроменезаломлення кристалів ТГС з домішкою L-валіну
за авторством: Стадник, В.Й., та інші
Опубліковано: (2010) -
Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників
за авторством: Дегода, В.Я., та інші
Опубліковано: (2010)