Диэлектрическая релаксация Коул-Коула
Построена модель микроструктуры неупорядоченных сред, обладающих свойством неэкспоненциальной релаксации. Модель базируется на фрактальном подходе структурирования среды....
Збережено в:
Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
---|---|
Дата: | 2004 |
Автори: | Новиков, В.В., Комкова, О.А. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56266 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Диэлектрическая релаксация Коул-Коула / В.В. Новиков, О.А. Комкова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 5. — С. 61-64. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Диэлектрическая релаксация Гавриляки-Негами
за авторством: Новиков, В.В., та інші
Опубліковано: (2005) -
Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
за авторством: Гладковский, В.В., та інші
Опубліковано: (2017) -
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010) -
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011) -
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2014)