Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса....
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56290 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-56290 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-562902014-02-16T03:13:37Z Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П. Материалы для микроэлектроники Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса. 2004 Article Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56290 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники |
| spellingShingle |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П. Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса. |
| format |
Article |
| author |
Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П. |
| author_facet |
Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П. |
| author_sort |
Ковтун, Г.П. |
| title |
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_short |
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_full |
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_fullStr |
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_full_unstemmed |
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_sort |
технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов gaas методом чохральского |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2004 |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56290 |
| citation_txt |
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT kovtungp tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT kravčenkoai tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT kondrikai tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT ŝerbanʹap tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo |
| first_indexed |
2023-10-18T18:27:20Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:27:20Z |
| _version_ |
1796144257983053824 |