2025-02-23T10:11:04-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-56290%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T10:11:04-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-56290%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T10:11:04-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK

2025-02-23T10:11:04-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского

Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса....

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Main Authors:	Ковтун, Г.П., Кравченко, А.И., Кондрик, А.И., Щербань, А.П.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Series:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:	Материалы для микроэлектроники
Online Access:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56290
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

id	irk-123456789-56290
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-562902014-02-16T03:13:37Z Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П. Материалы для микроэлектроники Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса. 2004 Article Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56290 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники
spellingShingle	Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П. Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description	Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса.
format	Article
author	Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П.
author_facet	Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П.
author_sort	Ковтун, Г.П.
title	Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
title_short	Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
title_full	Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
title_fullStr	Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
title_full_unstemmed	Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
title_sort	технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов gaas методом чохральского
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate	2004
topic_facet	Материалы для микроэлектроники
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56290
citation_txt	Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
series	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv	AT kovtungp tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT kravčenkoai tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT kondrikai tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT ŝerbanʹap tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo
first_indexed	2023-10-18T18:27:20Z
last_indexed	2023-10-18T18:27:20Z
_version_	1796144257983053824

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского

Similar Items