Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского

• Дата: 2004
• Автори: Ковтун, Г.П., Кравченко, А.И., Кондрик, А.И., Щербань, А.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Материалы для микроэлектроники
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56290
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса....