2025-02-23T10:00:39-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-56290%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T10:00:39-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-56290%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T10:00:39-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T10:00:39-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса....
Saved in:
| Main Authors: | , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56290 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Be the first to leave a comment!