2025-02-23T13:28:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-56292%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:28:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-56292%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:28:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:28:35-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
Использование для двоичной записи информации 2-3-мерных элементов сигналограммы приводит к возможности повышения плотности записи информации в (2-4)N раз.
Saved in:
Main Authors: | Демёхин, В.В., Данилов, В.В. |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56292 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
2025-02-23T13:28:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-56292%22&qt=morelikethis
2025-02-23T13:28:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-56292%22&qt=morelikethis
2025-02-23T13:28:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:28:35-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Similar Items
-
Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
by: Кондрик, А.И.
Published: (2004) -
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
by: Кутний, В.Е., et al.
Published: (2005) -
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2005) -
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2001) -
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2001)