Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
Изготовлены модули солнечных элементов с кпд 28,5% при АМ 1,5 на основе многослойных тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56295 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 23-26. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |