Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов

Рассмотрены подходы к конструированию лавинных и нелавинных германиевых фотодиодов с применением эпитаксиальных структур и термоэлектрического охлаждения.

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2004
Автори: Рюхтин, В.В., Добровольский, Ю.Г.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56302
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов / В.В. Рюхтин, Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 45-48. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-56302
record_format dspace
spelling irk-123456789-563022014-02-16T03:13:05Z Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов Рюхтин, В.В. Добровольский, Ю.Г. Интегральные схемы и полупроводниковые приборы Рассмотрены подходы к конструированию лавинных и нелавинных германиевых фотодиодов с применением эпитаксиальных структур и термоэлектрического охлаждения. 2004 Article Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов / В.В. Рюхтин, Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 45-48. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56302 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
spellingShingle Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
Рюхтин, В.В.
Добровольский, Ю.Г.
Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Рассмотрены подходы к конструированию лавинных и нелавинных германиевых фотодиодов с применением эпитаксиальных структур и термоэлектрического охлаждения.
format Article
author Рюхтин, В.В.
Добровольский, Ю.Г.
author_facet Рюхтин, В.В.
Добровольский, Ю.Г.
author_sort Рюхтин, В.В.
title Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
title_short Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
title_full Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
title_fullStr Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
title_full_unstemmed Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
title_sort особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2004
topic_facet Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56302
citation_txt Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов / В.В. Рюхтин, Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 45-48. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT rûhtinvv osobennostirazrabotkitermostabilizirovannyhgermanievyhfotodiodov
AT dobrovolʹskijûg osobennostirazrabotkitermostabilizirovannyhgermanievyhfotodiodov
first_indexed 2023-10-18T18:27:22Z
last_indexed 2023-10-18T18:27:22Z
_version_ 1796144259268608000