Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей
Методика определения параметров малосигнальной модели транзистора позволяет при минимальном количестве исходных данных получить модель, пригодную для практического применения....
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56303 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей / П.А. Емцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 49-51. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Методика определения параметров малосигнальной модели транзистора позволяет при минимальном количестве исходных данных получить модель, пригодную для практического применения. |
|---|