Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
Увеличение степени интеграции элементной базы предъявляет все более жесткие требования к уменьшению концентрации загрязняющих примесей и окислительных дефектов упаковки в исходных кремниевых пластинах с ее сохранением в технологическом цикле изготовления ИМС. Это обуславливает высокую актуальность п...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56320 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем / В.А. Пилипенко, В.А. Горушко, А.Н. Петлицкий, В.В. Понарядов, А.С. Турцевич, С.В. Шведов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 43-57. — Бібліогр.: 72 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-56320 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-563202014-02-16T03:14:27Z Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем Пилипенко, В.А. Горушко, В.А. Петлицкий, А.Н. Понарядов, В.В. Турцевич, А.С. Шведов, С.В. Технологические процессы и оборудование Увеличение степени интеграции элементной базы предъявляет все более жесткие требования к уменьшению концентрации загрязняющих примесей и окислительных дефектов упаковки в исходных кремниевых пластинах с ее сохранением в технологическом цикле изготовления ИМС. Это обуславливает высокую актуальность применения геттерирования в современной технологии микроэлектроники. В статье рассмотрены существующие методы геттерирования кремниевых пластин и механизмы их протекания. Збільшення ступеня інтеграції елементної бази пред'являє все більш жорсткі вимоги до зменшення концентрації забруднюючих домішок та окислювальних дефектів упаковки у вихідних кремнієвих пластинах за її збереження у технологічному циклі виготовлення ІМС. Це обумовлює високу актуальність застосування гетерування в сучасній технології мікроелектроніки. Розглянуто існуючі методи гетерування кремнієвих пластин та розглянуто механізми їх перебігу. Increasing the degree of integration of hardware components imposes more stringent requirements for the reduction of the concentration of contaminants and oxidation stacking faults in the original silicon wafers with its preservation in the IC manufacturing process cycle. This causes high relevance of the application of gettering in modern microelectronic technology. The existing methods of silicon wafers gettering and the mechanisms of their occurrence are considered. 2013 Article Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем / В.А. Пилипенко, В.А. Горушко, А.Н. Петлицкий, В.В. Понарядов, А.С. Турцевич, С.В. Шведов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 43-57. — Бібліогр.: 72 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56320 539.2/6:539.216.1 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование |
| spellingShingle |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование Пилипенко, В.А. Горушко, В.А. Петлицкий, А.Н. Понарядов, В.В. Турцевич, А.С. Шведов, С.В. Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Увеличение степени интеграции элементной базы предъявляет все более жесткие требования к уменьшению концентрации загрязняющих примесей и окислительных дефектов упаковки в исходных кремниевых пластинах с ее сохранением в технологическом цикле изготовления ИМС. Это обуславливает высокую актуальность применения геттерирования в современной технологии микроэлектроники. В статье рассмотрены существующие методы геттерирования кремниевых пластин и механизмы их протекания. |
| format |
Article |
| author |
Пилипенко, В.А. Горушко, В.А. Петлицкий, А.Н. Понарядов, В.В. Турцевич, А.С. Шведов, С.В. |
| author_facet |
Пилипенко, В.А. Горушко, В.А. Петлицкий, А.Н. Понарядов, В.В. Турцевич, А.С. Шведов, С.В. |
| author_sort |
Пилипенко, В.А. |
| title |
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| title_short |
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| title_full |
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| title_fullStr |
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| title_full_unstemmed |
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| title_sort |
методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2013 |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56320 |
| citation_txt |
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем / В.А. Пилипенко, В.А. Горушко, А.Н. Петлицкий, В.В. Понарядов, А.С. Турцевич, С.В. Шведов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 43-57. — Бібліогр.: 72 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT pilipenkova metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem AT goruškova metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem AT petlickijan metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem AT ponarâdovvv metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem AT turcevičas metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem AT švedovsv metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem |
| first_indexed |
2023-10-18T18:27:24Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:27:24Z |
| _version_ |
1796144260746051584 |