Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
Увеличение степени интеграции элементной базы предъявляет все более жесткие требования к уменьшению концентрации загрязняющих примесей и окислительных дефектов упаковки в исходных кремниевых пластинах с ее сохранением в технологическом цикле изготовления ИМС. Это обуславливает высокую актуальность п...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56320 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем / В.А. Пилипенко, В.А. Горушко, А.Н. Петлицкий, В.В. Понарядов, А.С. Турцевич, С.В. Шведов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 43-57. — Бібліогр.: 72 назв. — рос. |