2025-02-23T03:49:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-56321%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T03:49:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-56321%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T03:49:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T03:49:36-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев

На основе разработанной авторами модели массопереноса предложен новый метод эпитаксии толстых слоев. Метод предусматривает рост различных частей слоев в двухслойных системах, получаемых из раствора-расплава, и позволяет контролировать толщину подплавления подложек и толщину слоев, полученных на верх...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Дранчук, С.Н., Завадский, В.А., Мокрицкий, В.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Материалы электроники
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56321
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-56321
record_format dspace
spelling irk-123456789-563212014-02-16T03:14:53Z Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев Дранчук, С.Н. Завадский, В.А. Мокрицкий, В.А. Материалы электроники На основе разработанной авторами модели массопереноса предложен новый метод эпитаксии толстых слоев. Метод предусматривает рост различных частей слоев в двухслойных системах, получаемых из раствора-расплава, и позволяет контролировать толщину подплавления подложек и толщину слоев, полученных на верхней и нижней подложках, с учетом различия механизмов переноса кристаллизуемого вещества. На основі розробленої авторами моделі масопереносу запропоновано новий метод епітаксії товстих шарів. Метод передбачає вирощування різних частин шарів в двошарових системах, одержуваних з розчину-розплаву, і дозволяє контролювати товщину підплавлення підкладок і товщину шарів, отриманих на верхній та нижній підкладках з урахуванням відмінностей механізмів перенесення речовини, що кристалізується. On the basis of the authors' model of mass transfer, a new method for thick layers epitaxy has been developed. The method provides for the growth of different parts of the layers in two-layer systems obtained from the solution-melt and allows to control the thickness of substrate submelting and the thickness of layers obtained at the upper and lower substrates, in consideration of different crystallized substance transport mechanisms. 2013 Article Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев / С.Н. Дранчук, В.А. Завадский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 58-60. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56321 621.362:621.383 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы электроники
Материалы электроники
spellingShingle Материалы электроники
Материалы электроники
Дранчук, С.Н.
Завадский, В.А.
Мокрицкий, В.А.
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description На основе разработанной авторами модели массопереноса предложен новый метод эпитаксии толстых слоев. Метод предусматривает рост различных частей слоев в двухслойных системах, получаемых из раствора-расплава, и позволяет контролировать толщину подплавления подложек и толщину слоев, полученных на верхней и нижней подложках, с учетом различия механизмов переноса кристаллизуемого вещества.
format Article
author Дранчук, С.Н.
Завадский, В.А.
Мокрицкий, В.А.
author_facet Дранчук, С.Н.
Завадский, В.А.
Мокрицкий, В.А.
author_sort Дранчук, С.Н.
title Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
title_short Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
title_full Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
title_fullStr Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
title_full_unstemmed Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
title_sort метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2013
topic_facet Материалы электроники
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56321
citation_txt Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев / С.Н. Дранчук, В.А. Завадский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 58-60. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT drančuksn metodžidkofaznojépitaksiitolstyhsloev
AT zavadskijva metodžidkofaznojépitaksiitolstyhsloev
AT mokrickijva metodžidkofaznojépitaksiitolstyhsloev
first_indexed 2023-10-18T18:27:24Z
last_indexed 2023-10-18T18:27:24Z
_version_ 1796144260853006336

Similar Items