Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники

Описан источник потоков плазмы твердофазных материалов, генерируемых вакуумно-дуговым разрядом в парах диффузно испаряемого анода. Источник способен эффективно создавать бескапельные потоки плазмы различных металлов в вакууме, а при напуске в вакуумную камеру необходимых рабочих газов — потоки газов...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автор: Борисенко, А.Г.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56348
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники / А.Г. Борисенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 4. — С. 37-41. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-56348
record_format dspace
spelling irk-123456789-563482014-02-17T03:16:37Z Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники Борисенко, А.Г. Технологические процессы и оборудование Описан источник потоков плазмы твердофазных материалов, генерируемых вакуумно-дуговым разрядом в парах диффузно испаряемого анода. Источник способен эффективно создавать бескапельные потоки плазмы различных металлов в вакууме, а при напуске в вакуумную камеру необходимых рабочих газов — потоки газовой и газометаллической плазмы. Приведены основные характеристики разряда и параметры создаваемых плазменных потоков, имеющих компенсированный объемный заряд. Источник может быть использован для нанесения островковых и тонких металлических пленок на подложки из различных материалов, в том числе и диэлектрических. Описано джерело потоків плазми твердофазних матеріалів, генерованих вакуумно-дуговим розрядом в парах дифузно випаровуваного аноду. Джерело здатне ефективно створювати безкраплинні потоки плазми різних металів у вакуумі, а при напусканні у вакуумну камеру необхідних робочих газів — потоки газової та газометаллічної плазми. Наведено основні характеристики розряду та параметри створюваних плазмових потоків, що мають компенсований об'ємний заряд. Джерело може бути використане для нанесення острівцевих і тонких металевих плівок на підкладки з різних матеріалів, в тому числі й діелектричні. The paper describes the source of solid-phase materials plasma flow generated by vacuum-arc discharge in vapors of diffuse evaporated anode. The source can efficiently create macroparticle-free plasma flows of various metals in vacuum, and provided the vacuum chamber is filled with required working gases, the source creates gas and gas-metal plasma flows. The main characteristics of the discharge and the parameters of the plasma flows with compensated volume charge are presented. The source can be used for application of island and thin metal films on substrates of different materials, including dielectrics. 2013 Article Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники / А.Г. Борисенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 4. — С. 37-41. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56348 537.52 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Технологические процессы и оборудование
Технологические процессы и оборудование
spellingShingle Технологические процессы и оборудование
Технологические процессы и оборудование
Борисенко, А.Г.
Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Описан источник потоков плазмы твердофазных материалов, генерируемых вакуумно-дуговым разрядом в парах диффузно испаряемого анода. Источник способен эффективно создавать бескапельные потоки плазмы различных металлов в вакууме, а при напуске в вакуумную камеру необходимых рабочих газов — потоки газовой и газометаллической плазмы. Приведены основные характеристики разряда и параметры создаваемых плазменных потоков, имеющих компенсированный объемный заряд. Источник может быть использован для нанесения островковых и тонких металлических пленок на подложки из различных материалов, в том числе и диэлектрических.
format Article
author Борисенко, А.Г.
author_facet Борисенко, А.Г.
author_sort Борисенко, А.Г.
title Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
title_short Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
title_full Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
title_fullStr Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
title_full_unstemmed Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
title_sort источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2013
topic_facet Технологические процессы и оборудование
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56348
citation_txt Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники / А.Г. Борисенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 4. — С. 37-41. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT borisenkoag istočnikbeskapelʹnyhplazmennyhpotokovdlânanoélektroniki
first_indexed 2023-10-18T18:27:28Z
last_indexed 2023-10-18T18:27:28Z
_version_ 1796144263706181632