Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
Для получения микро- и наноструктур пористого кремния предлагается использовать метод неэлектролитического травления MacEtch (metal assisted chemical etching). Представлены результаты исследования морфологии структур, полученных при разных параметрах процессов осаждения и травления, и показана возмо...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56399 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch / И.Р. Яцунский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 52-56. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-56399 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-563992014-02-18T03:16:10Z Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch Яцунский, И.Р. Материалы электроники Для получения микро- и наноструктур пористого кремния предлагается использовать метод неэлектролитического травления MacEtch (metal assisted chemical etching). Представлены результаты исследования морфологии структур, полученных при разных параметрах процессов осаждения и травления, и показана возможность их использования в качестве сенсоров газов и биологических объектов. Для отримання мікро- та наноструктур пористого кремнію пропонується використовувати метод неелектролітичного травлення MacEtch (metal assisted chemical etching). Надано результати дослідження морфології структур, отриманих при різних параметрах процесів осадження і травлення, та показана можливість їх використання як сенсорів газів і біологічних об’єктів. The author suggests to use the etching method MacEtch (metal-assisted chemical etching) for production of micro- and nanostructures of porous silicon. The paper presents research results on the morphology structures obtained at different parameters of deposition and etching processes. The research has shown that, depending on the parameters of deposition of silver particles and silicon wafers etching, the obtained surface morphology may be different. There may be both individual crater-like pores and developed porous or macroporous surface. These results indicate that the MacEtch etching is a promising method for obtaining micro-porous silicon nanostructures suitable for effective use in gas sensors and biological object sensors. 2013 Article Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch / И.Р. Яцунский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 52-56. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56399 621.794:546.48 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Яцунский, И.Р. Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Для получения микро- и наноструктур пористого кремния предлагается использовать метод неэлектролитического травления MacEtch (metal assisted chemical etching). Представлены результаты исследования морфологии структур, полученных при разных параметрах процессов осаждения и травления, и показана возможность их использования в качестве сенсоров газов и биологических объектов. |
| format |
Article |
| author |
Яцунский, И.Р. |
| author_facet |
Яцунский, И.Р. |
| author_sort |
Яцунский, И.Р. |
| title |
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch |
| title_short |
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch |
| title_full |
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch |
| title_fullStr |
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch |
| title_full_unstemmed |
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch |
| title_sort |
получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления macetch |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2013 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56399 |
| citation_txt |
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch / И.Р. Яцунский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 6. — С. 52-56. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT âcunskijir polučenieprigodnogodlâsensorikiporistogokremniâmetodomneélektrolitičeskogotravleniâmacetch |
| first_indexed |
2023-10-18T18:27:35Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:27:35Z |
| _version_ |
1796144269118930944 |