Моделювання радiацiйних та релаксацiйних процесiв в iмплантованих iонами кисню плiвках залiзоiтрiєвого гранату

The mechanisms of the formation of defects in superficial layers of epitaxial yttrium iron garnet films during the implantation by oxygen ions (E = 90 keV) are investigated by mathematical modeling methods. Secondary implantation processes and the evolution of the cascade collisions of target atoms...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Остафійчук, Б.К., Ткачук, В.М., Ткачук, О.М., Пилипiв, В.М., Григорук, О.О.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2008
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/5732
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Моделювання радiацiйних та релаксацiйних процесiв в iмплантованих iонами кисню плiвках залiзоiтрiєвого гранату / Б.К. Остафiйчук, В.М. Ткачук, О.М. Ткачук, В.М. Пилипiв, О.О. Григорук // Доп. НАН України. — 2008. — № 7. — С. 82-85. — Бібліогр.: 7 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:The mechanisms of the formation of defects in superficial layers of epitaxial yttrium iron garnet films during the implantation by oxygen ions (E = 90 keV) are investigated by mathematical modeling methods. Secondary implantation processes and the evolution of the cascade collisions of target atoms up to a thermodynamical equilibrium state are studied.