Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn

В новом высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике p-Cd1–xMnxGeAs2 (x = 0–0.36) в области комнатных температур измерены барические зависимости удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH. На зависимостях ρ(P) и RH(P) обнаружены структурные фазовые переходы, положения которых сдви...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Моллаев, А.Ю., Камилов, И.К., Арсланов, Р.К., Залибеков, У.З., Новоторцев, В.М., Маренкин, С.Ф.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2009
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/5979
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 2. — С. 88-93. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:В новом высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике p-Cd1–xMnxGeAs2 (x = 0–0.36) в области комнатных температур измерены барические зависимости удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH. На зависимостях ρ(P) и RH(P) обнаружены структурные фазовые переходы, положения которых сдвигаются в сторону низких давлений с увеличением процентного содержания марганца от 5.9 GPa на образце CdGeAs2 до 4.8 GPa на p-Cd0.64Mn0.36GeAs2. На зависимостях RH(P) кристаллов с большим (x ≥ 0.18) процентным содержанием марганца обнаружены аномалии, что, вероятно, обусловлено магнитными свойствами или наличием примесных центров.