Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения
Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детект...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
2004
|
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6403 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-6403 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-64032010-03-04T12:01:15Z Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения Войтович, И.Д. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детектора. Приведены результаты разработки технологии сверхпроводящих пленок ниобия, свободных от напряжения, а также структур Nb/AlOx-Al/Nb и Nb/Al-AlOx-Al/Nb, пригодных для детекторов излучений. 2004 Article Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1817-9908 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6403 583.945 ru Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детектора. Приведены результаты разработки технологии сверхпроводящих пленок ниобия, свободных от напряжения, а также структур Nb/AlOx-Al/Nb и Nb/Al-AlOx-Al/Nb, пригодных для детекторов излучений. |
| format |
Article |
| author |
Войтович, И.Д. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. |
| spellingShingle |
Войтович, И.Д. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| author_facet |
Войтович, И.Д. Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. |
| author_sort |
Войтович, И.Д. |
| title |
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_short |
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_full |
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_fullStr |
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_full_unstemmed |
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| title_sort |
разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения |
| publisher |
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України |
| publishDate |
2004 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6403 |
| citation_txt |
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT vojtovičid razrabotkatehnologiiformirovaniâsverhprovodnikovyhtunnelʹnyhperehodovdlâdetektorovizlučeniâ AT lebedevats razrabotkatehnologiiformirovaniâsverhprovodnikovyhtunnelʹnyhperehodovdlâdetektorovizlučeniâ AT špilevojpb razrabotkatehnologiiformirovaniâsverhprovodnikovyhtunnelʹnyhperehodovdlâdetektorovizlučeniâ AT âkopovgv razrabotkatehnologiiformirovaniâsverhprovodnikovyhtunnelʹnyhperehodovdlâdetektorovizlučeniâ |
| first_indexed |
2023-10-18T16:35:04Z |
| last_indexed |
2023-10-18T16:35:04Z |
| _version_ |
1796139368035909632 |