Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении
На базовых образцах CdGeAs2, CdGeP2 и высокотемпературных ферромагнитных полупроводниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 и Cd1–хMnхGeP2 в аппарате высокого давления типа «тороид» измерены барические (до 9 GPa) и температурные зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH при 77–40...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2009
|
| Назва видання: | Физика и техника высоких давлений |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69158 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении / А.Ю. Моллаев // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 171-181. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-69158 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-691582014-10-07T03:01:39Z Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении Моллаев, А.Ю. На базовых образцах CdGeAs2, CdGeP2 и высокотемпературных ферромагнитных полупроводниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 и Cd1–хMnхGeP2 в аппарате высокого давления типа «тороид» измерены барические (до 9 GPa) и температурные зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH при 77–400 K. На базових зразках CdGeAs2, CdGeP2 і високотемпературних феромагнітних напівпровідниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 і Cd1–хMnхGeP2 в апараті високого тиску типу «тороїд» зміряно баричні (до 9 GPa) і температурні залежності питомого електроопору ρ, коефіцієнта Хола RH при 77–400 K. Baric (up to 9 GPa) and temperature dependences of resistivity ρ, Hall coefficient RH in the 77–400 K temperature range have been measured on base samples CdGeAs2, CdGeP2 and high-temperature ferromagnetic semiconductors Cd1–xMnxGeAs2, Cd1–xCrxGeAs2 and Cd1–xMnxGeP2 in a high-pressure device of «thoroid» type. 2009 Article Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении / А.Ю. Моллаев // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 171-181. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 62.50.+p, 72.20.–i http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69158 ru Физика и техника высоких давлений Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
На базовых образцах CdGeAs2, CdGeP2 и высокотемпературных ферромагнитных полупроводниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 и Cd1–хMnхGeP2 в аппарате высокого давления типа «тороид» измерены барические (до 9 GPa) и температурные зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH при 77–400 K. |
| format |
Article |
| author |
Моллаев, А.Ю. |
| spellingShingle |
Моллаев, А.Ю. Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении Физика и техника высоких давлений |
| author_facet |
Моллаев, А.Ю. |
| author_sort |
Моллаев, А.Ю. |
| title |
Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении |
| title_short |
Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении |
| title_full |
Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении |
| title_fullStr |
Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении |
| title_full_unstemmed |
Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении |
| title_sort |
комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении |
| publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| publishDate |
2009 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69158 |
| citation_txt |
Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении / А.Ю. Моллаев // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 171-181. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| series |
Физика и техника высоких давлений |
| work_keys_str_mv |
AT mollaevaû kompleksnoeissledovaniedopirovannyhferromagnitnyhpoluprovodnikovprivysokomdavlenii |
| first_indexed |
2023-10-18T18:56:09Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:56:09Z |
| _version_ |
1796145559662231552 |