Поверхностно-индуцированные самоподобные пространственно-временные структуры в высокотемпературных сверхпроводниках II рода
Проведен теоретический анализ процессов проникновения магнитного поля в высокотемпературные сверхпроводники второго рода в зависимости от состояния, в котором находится сверхпроводник: в фазе вязкого течения магнитного потока, в режиме классического термоактивационного крипа потока, в режиме «гигант...
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2012
|
Назва видання: | Физика и техника высоких давлений |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69549 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Поверхностно-индуцированные самоподобные пространственно-временные структуры в высокотемпературных сверхпроводниках II рода / Т.Н. Мельник, И.Б. Краснюк, Р.М. Таранец, В.М. Юрченко // Физика и техника высоких давлений. — 2012. — Т. 22, № 2. — С. 70-87. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Проведен теоретический анализ процессов проникновения магнитного поля в высокотемпературные сверхпроводники второго рода в зависимости от состояния, в котором находится сверхпроводник: в фазе вязкого течения магнитного потока, в режиме классического термоактивационного крипа потока, в режиме «гигантского» крипа потока либо в фазах вихревой жидкости или вихревого стекла. Исследование фазы вихревого стекла выполнено в окрестности линии плавления, a фазы вихревой жидкости – в окрестности линии плавления в режиме крипа (TAFF-режим). При этом вихревая жидкость при крипе потока может быть δТс-запиннингована в сильном или слабом пиннинге. Отдельно рассмотрены случаи сильного и слабого пиннинга в случайном гауссовом потенциале пиннинга с учетом случайно распределенных точечных дефектов. |
---|