2025-02-23T22:09:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-69549%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T22:09:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-69549%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T22:09:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T22:09:52-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Поверхностно-индуцированные самоподобные пространственно-временные структуры в высокотемпературных сверхпроводниках II рода

Проведен теоретический анализ процессов проникновения магнитного поля в высокотемпературные сверхпроводники второго рода в зависимости от состояния, в котором находится сверхпроводник: в фазе вязкого течения магнитного потока, в режиме классического термоактивационного крипа потока, в режиме «гигант...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Мельник, Т.Н., Краснюк, И.Б., Таранец, Р.М., Юрченко, В.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2012
Series:Физика и техника высоких давлений
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69549
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Проведен теоретический анализ процессов проникновения магнитного поля в высокотемпературные сверхпроводники второго рода в зависимости от состояния, в котором находится сверхпроводник: в фазе вязкого течения магнитного потока, в режиме классического термоактивационного крипа потока, в режиме «гигантского» крипа потока либо в фазах вихревой жидкости или вихревого стекла. Исследование фазы вихревого стекла выполнено в окрестности линии плавления, a фазы вихревой жидкости – в окрестности линии плавления в режиме крипа (TAFF-режим). При этом вихревая жидкость при крипе потока может быть δТс-запиннингована в сильном или слабом пиннинге. Отдельно рассмотрены случаи сильного и слабого пиннинга в случайном гауссовом потенциале пиннинга с учетом случайно распределенных точечных дефектов.