Поверхностно-индуцированные самоподобные пространственно-временные структуры в высокотемпературных сверхпроводниках II рода

Проведен теоретический анализ процессов проникновения магнитного поля в высокотемпературные сверхпроводники второго рода в зависимости от состояния, в котором находится сверхпроводник: в фазе вязкого течения магнитного потока, в режиме классического термоактивационного крипа потока, в режиме «гигант...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Мельник, Т.Н., Краснюк, И.Б., Таранец, Р.М., Юрченко, В.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2012
Назва видання:Физика и техника высоких давлений
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69549
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Поверхностно-индуцированные самоподобные пространственно-временные структуры в высокотемпературных сверхпроводниках II рода / Т.Н. Мельник, И.Б. Краснюк, Р.М. Таранец, В.М. Юрченко // Физика и техника высоких давлений. — 2012. — Т. 22, № 2. — С. 70-87. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Проведен теоретический анализ процессов проникновения магнитного поля в высокотемпературные сверхпроводники второго рода в зависимости от состояния, в котором находится сверхпроводник: в фазе вязкого течения магнитного потока, в режиме классического термоактивационного крипа потока, в режиме «гигантского» крипа потока либо в фазах вихревой жидкости или вихревого стекла. Исследование фазы вихревого стекла выполнено в окрестности линии плавления, a фазы вихревой жидкости – в окрестности линии плавления в режиме крипа (TAFF-режим). При этом вихревая жидкость при крипе потока может быть δТс-запиннингована в сильном или слабом пиннинге. Отдельно рассмотрены случаи сильного и слабого пиннинга в случайном гауссовом потенциале пиннинга с учетом случайно распределенных точечных дефектов.