2025-02-23T20:05:51-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-69559%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T20:05:51-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-69559%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T20:05:51-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T20:05:51-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии

Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии

Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомных структур, свойства которых изучены методами...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Надточий, В.А., Уколов, А.И., Нечволод, Н.К.
Format: Article
Language:Russian
Published: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2012
Series:Физика и техника высоких давлений
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69559
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-69559
record_format dspace
spelling irk-123456789-695592014-10-17T03:02:03Z Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии Надточий, В.А. Уколов, А.И. Нечволод, Н.К. Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомных структур, свойства которых изучены методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света. Досліджено явище низькотемпературної дифузії в Ge уздовж спрямованих на поверхню дислокаційних напівпетель при створенні градієнтів під дією деформації згинання або стискання. Показано можливість утворення на поверхні низькорозмірних атомних структур, властивості яких вивчено за методами атомно-силової мікроскопії та раманівської спектроскопії комбінаційного розсіювання світла. The phenomenon of low-temperature diffusion in Ge along dislocation semi-loops emerging on the surface at creation of stress gradients under the deformation of bend or compression was investigated. Possibility of creation of low-dimensional atomic structure on the surface is shown. Their properties are studied by atomic force microscopy and Raman spectroscopy technique. 2012 Article Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии / В.А. Надточий, А.И. Уколов, Н.К. Нечволод // Физика и техника высоких давлений. — 2012. — Т. 22, № 3. — С. 54-62. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 81.10.Aj, 64.60.Qb, 66.30.Fq http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69559 ru Физика и техника высоких давлений Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомных структур, свойства которых изучены методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света.
format Article
author Надточий, В.А.
Уколов, А.И.
Нечволод, Н.К.
spellingShingle Надточий, В.А.
Уколов, А.И.
Нечволод, Н.К.
Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии
Физика и техника высоких давлений
author_facet Надточий, В.А.
Уколов, А.И.
Нечволод, Н.К.
author_sort Надточий, В.А.
title Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии
title_short Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии
title_full Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии
title_fullStr Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии
title_full_unstemmed Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии
title_sort формирование наноструктур в gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии
publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
publishDate 2012
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69559
citation_txt Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии / В.А. Надточий, А.И. Уколов, Н.К. Нечволод // Физика и техника высоких давлений. — 2012. — Т. 22, № 3. — С. 54-62. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
series Физика и техника высоких давлений
work_keys_str_mv AT nadtočijva formirovanienanostrukturvgepriusloviidislokacionnopoverhnostnojdiffuzii
AT ukolovai formirovanienanostrukturvgepriusloviidislokacionnopoverhnostnojdiffuzii
AT nečvolodnk formirovanienanostrukturvgepriusloviidislokacionnopoverhnostnojdiffuzii
first_indexed 2023-10-18T18:56:46Z
last_indexed 2023-10-18T18:56:46Z
_version_ 1796145586996510720

Similar Items