Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии
Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомных структур, свойства которых изучены методами...
Збережено в:
| Видавець: | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2012
|
| Назва видання: | Физика и техника высоких давлений |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69559 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии / В.А. Надточий, А.И. Уколов, Н.К. Нечволод // Физика и техника высоких давлений. — 2012. — Т. 22, № 3. — С. 54-62. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-69559 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-695592014-10-17T03:02:03Z Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии Надточий, В.А. Уколов, А.И. Нечволод, Н.К. Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомных структур, свойства которых изучены методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света. Досліджено явище низькотемпературної дифузії в Ge уздовж спрямованих на поверхню дислокаційних напівпетель при створенні градієнтів під дією деформації згинання або стискання. Показано можливість утворення на поверхні низькорозмірних атомних структур, властивості яких вивчено за методами атомно-силової мікроскопії та раманівської спектроскопії комбінаційного розсіювання світла. The phenomenon of low-temperature diffusion in Ge along dislocation semi-loops emerging on the surface at creation of stress gradients under the deformation of bend or compression was investigated. Possibility of creation of low-dimensional atomic structure on the surface is shown. Their properties are studied by atomic force microscopy and Raman spectroscopy technique. 2012 Article Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии / В.А. Надточий, А.И. Уколов, Н.К. Нечволод // Физика и техника высоких давлений. — 2012. — Т. 22, № 3. — С. 54-62. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 81.10.Aj, 64.60.Qb, 66.30.Fq http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69559 ru Физика и техника высоких давлений Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомных структур, свойства которых изучены методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света. |
| format |
Article |
| author |
Надточий, В.А. Уколов, А.И. Нечволод, Н.К. |
| spellingShingle |
Надточий, В.А. Уколов, А.И. Нечволод, Н.К. Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии Физика и техника высоких давлений |
| author_facet |
Надточий, В.А. Уколов, А.И. Нечволод, Н.К. |
| author_sort |
Надточий, В.А. |
| title |
Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии |
| title_short |
Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии |
| title_full |
Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии |
| title_fullStr |
Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии |
| title_full_unstemmed |
Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии |
| title_sort |
формирование наноструктур в gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии |
| publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| publishDate |
2012 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69559 |
| citation_txt |
Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии / В.А. Надточий, А.И. Уколов, Н.К. Нечволод // Физика и техника высоких давлений. — 2012. — Т. 22, № 3. — С. 54-62. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
| series |
Физика и техника высоких давлений |
| work_keys_str_mv |
AT nadtočijva formirovanienanostrukturvgepriusloviidislokacionnopoverhnostnojdiffuzii AT ukolovai formirovanienanostrukturvgepriusloviidislokacionnopoverhnostnojdiffuzii AT nečvolodnk formirovanienanostrukturvgepriusloviidislokacionnopoverhnostnojdiffuzii |
| first_indexed |
2023-10-18T18:56:46Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:56:46Z |
| _version_ |
1796145586996510720 |