Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC
Побудовано атомну модель осередку поверхні карбіду кремнію з дефектами. Застосовано пакет програм ABINIT-інструменту nanoHUB з використанням теорії функціонала густини. Встановлено: зі зростанням всебічного тиску найбільшою мірою змінюється внесок локальної електрон-іонної взаємодії у повну енергію...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2013
|
| Назва видання: | Физика и техника высоких давлений |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69627 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC / В.В. Токій, Д.Л. Савіна, Н.В. Токій // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 2. — С. 114-122. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-69627 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-696272014-10-18T03:01:26Z Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC Токій, В.В. Савіна, Д.Л. Токій, Н.В. Побудовано атомну модель осередку поверхні карбіду кремнію з дефектами. Застосовано пакет програм ABINIT-інструменту nanoHUB з використанням теорії функціонала густини. Встановлено: зі зростанням всебічного тиску найбільшою мірою змінюється внесок локальної електрон-іонної взаємодії у повну енергію осередку; контролюючим механізмом впливу всебічного тиску на міграцію кисню є нелокальна псевдопотенціальна взаємодія валентних електронів з іонним остовом усіх атомів осередку. Передбачено, що збільшення всебічного стиснення призводить: до зміни напрямку процесу оксидизації приповерхневого С-прошарку кремнієвої поверхні карбіду на протилежний – його деоксидизацію; до уповільнення міграції кисню як при оксидизації, так і при деоксидизації приповерхневого С-прошарку кремнієвої поверхні карбіду. Построена атомная модель ячейки поверхности карбида кремния с дефектами. Применен пакет программ ABINIT-инструмента nanoHUB с использованием теории функционала плотности. Установлено: наиболее изменяется вклад локального электрон-ионного взаимодействия в полную энергию ячейки с ростом всестороннего давления; контролирующим механизмом влияния всестороннего давления на миграцию кислорода является нелокальное псевдопотенциальное взаимодействие валентных электронов с ионным остовом всех атомов ячейки. Предсказано, что увеличение всестороннего сжатия приводит: к изменению направления процесса оксидизации приповерхностного С-слоя кремниевой поверхности карбида на противоположный − его деоксидизацию; к замедлению миграции кислорода как при оксидизации, так и при деоксидизации приповерхностного С-слоя кремниевой поверхности карбида. The study was aimed at ascertainment of physical causes that control defect structure formation and properties of nanocrystalline silicon carbide powders. An atomic model of a cell of silicon carbide surface with defects was built. Software package ABINIT−nanoHUB tool was applied with using density functional theory. The changes in total energy at motion of the oxygen atoms in the surface layers of silicon covering of carbide by the vacancy mechanism with increasing hydrostatic pressure were evaluated. It was established that: 1. The contribution of the local electron-ion interaction to the total energy of the cell was changed most of all with increasing hydrostatic pressure. 2. The contributions of the local electron-ion interaction and the exchange-correlation energy of the valence electrons reduced the total energy of the cell with increasing hydrostatic pressure. The contributions of the electron-electron Coulomb Hartree energy, the kinetic energy of the valence electrons, Ewald energy and the energy correction of the ion core of all atoms increased it. 3. The controlling mechanism of the influence of hydrostatic pressure on the migration of oxygen was a non-local pseudopotential interaction of valence electrons with the ionic core of all the atoms in a cell. 2013 Article Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC / В.В. Токій, Д.Л. Савіна, Н.В. Токій // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 2. — С. 114-122. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. 0868-5924 PACS: 31.15.Es, 61.50.Ks, 62.50.−p, 71.15.Mb, 71.15.Nc, 73.90.+f, 81.40.Vw http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69627 uk Физика и техника высоких давлений Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Побудовано атомну модель осередку поверхні карбіду кремнію з дефектами. Застосовано пакет програм ABINIT-інструменту nanoHUB з використанням теорії функціонала густини. Встановлено: зі зростанням всебічного тиску найбільшою мірою змінюється внесок локальної електрон-іонної взаємодії у повну енергію осередку; контролюючим механізмом впливу всебічного тиску на міграцію кисню є нелокальна псевдопотенціальна взаємодія валентних електронів з іонним остовом усіх атомів осередку. Передбачено, що збільшення всебічного стиснення призводить: до зміни напрямку процесу оксидизації приповерхневого С-прошарку кремнієвої поверхні карбіду на протилежний – його деоксидизацію; до уповільнення міграції кисню як при оксидизації, так і при деоксидизації приповерхневого С-прошарку кремнієвої поверхні карбіду. |
| format |
Article |
| author |
Токій, В.В. Савіна, Д.Л. Токій, Н.В. |
| spellingShingle |
Токій, В.В. Савіна, Д.Л. Токій, Н.В. Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC Физика и техника высоких давлений |
| author_facet |
Токій, В.В. Савіна, Д.Л. Токій, Н.В. |
| author_sort |
Токій, В.В. |
| title |
Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC |
| title_short |
Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC |
| title_full |
Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC |
| title_fullStr |
Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC |
| title_full_unstemmed |
Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC |
| title_sort |
вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) sic |
| publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| publishDate |
2013 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69627 |
| citation_txt |
Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC / В.В. Токій, Д.Л. Савіна, Н.В. Токій // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 2. — С. 114-122. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
| series |
Физика и техника высоких давлений |
| work_keys_str_mv |
AT tokíjvv vplivtiskunamígracíûkisnûpoblizukremníêvoípoverhní100sic AT savínadl vplivtiskunamígracíûkisnûpoblizukremníêvoípoverhní100sic AT tokíjnv vplivtiskunamígracíûkisnûpoblizukremníêvoípoverhní100sic |
| first_indexed |
2023-10-18T18:56:55Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:56:55Z |
| _version_ |
1796145593692717056 |