Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации

• Дата: 2013
• Автори: Уколов, А.И., Надточий, В.А., Нечволод, Н.К.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2013
• Назва видання: Физика и техника высоких давлений
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69673
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации / А.И. Уколов, В.А. Надточий, Н.К. Нечволод // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 4. — С. 83-91. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Приведены зависимости напряжений в области действия сосредоточенной силы при трехопорном изгибе тонкой полупроводниковой пластины Ge. При выбранных размерах и условиях деформирования превышение напряжений в образце вблизи концентратора существенно на глубине до 25 μm и на расстоянии от него < 1.2...