Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa

Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa

Измерена температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла при атмосферном давлении в температурном интервале 77–420 K на новых магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием марганца (х = 0.06 и 0.18). По барическим зависимостям удельного электросопротив...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2005
Автори: Моллаев, А.Ю., Камилов, И.К., Арсланов, Р.К., Магомедов, А.Б., Залибеков, У.З., Маренкин, С.Ф., Новоторцев, В.М., Михайлов, С.Г.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2005
Назва видання:Физика и техника высоких давлений
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70122
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, А.Б. Магомедов, У.З. Залибеков, С.Ф. Маренкин, В.М. Новоторцев, С.Г. Михайлов // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 1. — С. 126-132. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-70122
record_format dspace
spelling irk-123456789-701222014-11-06T21:42:17Z Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Магомедов, А.Б. Залибеков, У.З. Маренкин, С.Ф. Новоторцев, В.М. Михайлов, С.Г. Измерена температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла при атмосферном давлении в температурном интервале 77–420 K на новых магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием марганца (х = 0.06 и 0.18). По барическим зависимостям удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH обнаружены структурные фазовые переходы на образцах Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2. Из зависимостей ρ(Т) и RH(Т) рассчитаны механизмы рассеяния носителей при атмосферном давлении. В области комнатных температур по зависимостям ρ(P) и RH(P) определены характеристические точки и параметры фазового превращения, динамика изменения фазового состава от давления. The temperature dependence of specific resistance and Hall coefficient has been measured at the atmospheric pressure in temperature range 77−420 K on new magnetic semiconductors Cd1−xMnxGeAs2 with different content of manganese (x = 0.06 and 0.18). By the baric dependences of specific resistance ρ and Hall coefficient RH there have been revealed the structural phase transition on the samples of Cd1−xMnxGeAs2 and Cd1−xCrxGeAs2. From the ρ(T) and RH(T) dependences the mechanisms of the carrier scattering at the atmosphere pressure have been calculated. Characteristic points, parameters of phase transformation, and dynamics of changes in phase composition with pressure have been determined in the region of room temperatures by the ρ(P) and RH(P) dependences. 2005 Article Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, А.Б. Магомедов, У.З. Залибеков, С.Ф. Маренкин, В.М. Новоторцев, С.Г. Михайлов // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 1. — С. 126-132. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 72.20.−i http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70122 ru Физика и техника высоких давлений Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Измерена температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла при атмосферном давлении в температурном интервале 77–420 K на новых магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием марганца (х = 0.06 и 0.18). По барическим зависимостям удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH обнаружены структурные фазовые переходы на образцах Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2. Из зависимостей ρ(Т) и RH(Т) рассчитаны механизмы рассеяния носителей при атмосферном давлении. В области комнатных температур по зависимостям ρ(P) и RH(P) определены характеристические точки и параметры фазового превращения, динамика изменения фазового состава от давления.
format Article
author Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Магомедов, А.Б.
Залибеков, У.З.
Маренкин, С.Ф.
Новоторцев, В.М.
Михайлов, С.Г.
spellingShingle Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Магомедов, А.Б.
Залибеков, У.З.
Маренкин, С.Ф.
Новоторцев, В.М.
Михайлов, С.Г.
Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
Физика и техника высоких давлений
author_facet Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Магомедов, А.Б.
Залибеков, У.З.
Маренкин, С.Ф.
Новоторцев, В.М.
Михайлов, С.Г.
author_sort Моллаев, А.Ю.
title Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
title_short Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
title_full Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
title_fullStr Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
title_full_unstemmed Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
title_sort фазовые переходы в магнитных полупроводниках cd1−xmnxgeas2 и cd1−xcrxgeas2 при гидростатических давлениях до 9 gpa
publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
publishDate 2005
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70122
citation_txt Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, А.Б. Магомедов, У.З. Залибеков, С.Ф. Маренкин, В.М. Новоторцев, С.Г. Михайлов // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 1. — С. 126-132. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
series Физика и техника высоких давлений
work_keys_str_mv AT mollaevaû fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa
AT kamilovik fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa
AT arslanovrk fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa
AT magomedovab fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa
AT zalibekovuz fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa
AT marenkinsf fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa
AT novotorcevvm fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa
AT mihajlovsg fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa
first_indexed 2023-10-18T18:57:50Z
last_indexed 2023-10-18T18:57:50Z
_version_ 1796145634706718720

Схожі ресурси