Фононная дисперсия сжатых кристаллов инертных газов в ГЦК-фазе

Рассчитываются фононные частоты кристаллов ряда Ne−Xe при р ≠ 0 с выходом за адиабатическое приближение. Использование концепции управляющих параметров, которыми являются интегралы перекрытия волновых функций электронов в основном и возбужденном состояниях, позволяет приближенно рассчитать вклады эл...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
Дата:2005
Автори: Троицкая, Е.П., Чабаненко, В.В., Горбенко, Е.Е.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2005
Назва видання:Физика и техника высоких давлений
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70131
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Фононная дисперсия сжатых кристаллов инертных газов в ГЦК-фазе / Е.П. Троицкая, В.В. Чабаненко, Е.Е. Горбенко // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 2. — С. 7-11. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Рассчитываются фононные частоты кристаллов ряда Ne−Xe при р ≠ 0 с выходом за адиабатическое приближение. Использование концепции управляющих параметров, которыми являются интегралы перекрытия волновых функций электронов в основном и возбужденном состояниях, позволяет приближенно рассчитать вклады электрон-ионного взаимодействия в фононные частоты при небольших давлениях (сжатиях ΔV/V0 ≤ 0.4). Исследование роли различных взаимодействий показало, что величины фононных частот, рассчитанные в самой простой модели (с учетом только первых соседей) и самой сложной (первые + вторые соседи + неадиабатика, Vsr ~ Sⁿ) близки друг к другу. Разница в моделях для всех кристаллов ряда Ne−Xe наиболее заметна на границе зоны Бриллюэна.