Микротвердость кристаллов Тl₃VS₄

• Дата: 2005
• Автори: Беляев, Б.В., Грицких, В.А., Жихарев, И.В., Кара-Мурза, С.В., Корчикова, Н.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2005
• Назва видання: Физика и техника высоких давлений
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70175
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Микротвердость кристаллов Тl₃VS₄ / Б.В. Беляев, В.А. Грицких, И.В. Жихарев, С.В. Кара-Мурза, Н.В. Корчикова // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 4. — С. 76-84. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Представлены результаты экспериментальных исследований микротвердости по Виккерсу HV кристаллов Тl₃VS₄. Измерения выполнены на кристаллографических плоскостях (100), (110) и (111) с диагональю индентора, направленной вдоль [110]. Приведены результаты измерений HV в зависимости от нагрузки для неотожженных и отожженных при различных режимах отжига образцов; установлен оптимальный режим отжига. Корректность измерений подтверждена согласием между микротвердостью HV*, соответствующей началу пластической деформации, и корректированной микротвердостью HVc, полученной по наклону зависимости нагрузки от диагонали отпечатка. Сравниваются значения микротвердости HV* кристаллов Тl₃VS₄, найденные методами Бриджмена− Стокбаргера и зонной перекристаллизации под давлением аргона. Предложена полуэмпирическая формула для описания микротвердости ионных и ионно-ковалентных кристаллов. Выполнен сравнительный анализ экспериментальных и расчетных значений микротвердости для всех изоструктурных соединений класса Tl₃B⁵C₄⁶ (B⁵ − V, Nb, Ta; C⁶ − S, Se).