Особенности трансформации дефектной структуры кристаллов K1-хRbхTiOPO₄ под воздействием давления кислорода и условий выращивания

• Main Authors: Каланда, Н.А., Гурецкий, С.А., Лугинец, А.М., Фадеева, Е.А., Шелег, А.У., Гуртовой, В.Г.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2007
• Series: Физика и техника высоких давлений
• Online Access: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70322

Проведены исследования по оптимизации условий роста и режимов последующей термообработки кристаллов (α)K₁₋хRbхTiOPO₄ с целью увеличения их структурного совершенства. Установлено, что существует оптимальный диапазон значений линейных скоростей роста Vgr = 0.055−0.065 mm/h грани (100) монокристаллов (α)K₁₋хRbхTiOPO₄, при которых лучевая прочность имеет максимальные значения, а электропроводность − минимальные. Проведение дополнительного отжига при pO2 = 7·10⁵–10⁶ Pa по режиму: нагрев со скоростью 100−50 K/h до 1273 K (выдержка t = 40−50 h) → охлаждение 0.5−8 K/h до 1173 K и 10−50 K/h − до 303 K способствовало увеличению значений Pmax и σ в 1.3 и 1.7 раза соответственно.