Особенности трансформации дефектной структуры кристаллов K1-хRbхTiOPO₄ под воздействием давления кислорода и условий выращивания
Проведены исследования по оптимизации условий роста и режимов последующей термообработки кристаллов (α)K₁₋хRbхTiOPO₄ с целью увеличения их структурного совершенства. Установлено, что существует оптимальный диапазон значений линейных скоростей роста Vgr = 0.055−0.065 mm/h грани (100) монокристаллов (...
Збережено в:
Дата: | 2007 |
---|---|
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2007
|
Назва видання: | Физика и техника высоких давлений |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70322 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Особенности трансформации дефектной структуры кристаллов K₁₋хRbхTiOPO₄ под воздействием давления кислорода и условий выращивания / Н.А. Каланда, С.А. Гурецкий, А.М. Лугинец, Е.А. Фадеева, А.У. Шелег, В.Г. Гуртовой // Физика и техника высоких давлений. — 2007. — Т. 17, № 2. — С. 76-80. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Проведены исследования по оптимизации условий роста и режимов последующей термообработки кристаллов (α)K₁₋хRbхTiOPO₄ с целью увеличения их структурного совершенства. Установлено, что существует оптимальный диапазон значений линейных скоростей роста Vgr = 0.055−0.065 mm/h грани (100) монокристаллов (α)K₁₋хRbхTiOPO₄, при которых лучевая прочность имеет максимальные значения, а электропроводность − минимальные. Проведение дополнительного отжига при pO2 = 7·10⁵–10⁶ Pa по режиму: нагрев со скоростью 100−50 K/h до 1273 K (выдержка t = 40−50 h) → охлаждение 0.5−8 K/h до 1173 K и 10−50 K/h − до 303 K способствовало увеличению значений Pmax и σ в 1.3 и 1.7 раза соответственно. |
---|