Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом
Исследовано воздействие лазерного импульса с длиной волны τP = 1 ms, λ = 0.694 μm и энергией ≤ 1 J на поверхность (111) монокристаллического GaAs. Установлено, что минимальные сдвиговые напряжения, при которых активируются процессы точечного дефектообразования, составляют ~ 100 МPа. Численным решени...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2008
|
| Назва видання: | Физика и техника высоких давлений |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70449 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом / Д.С. Москаль, В.А. Надточий // Физика и техника высоких давлений. — 2008. — Т. 18, № 2. — С. 154-160. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70449 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-704492014-11-07T03:01:42Z Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом Москаль, Д.С. Надточий, В.А. Исследовано воздействие лазерного импульса с длиной волны τP = 1 ms, λ = 0.694 μm и энергией ≤ 1 J на поверхность (111) монокристаллического GaAs. Установлено, что минимальные сдвиговые напряжения, при которых активируются процессы точечного дефектообразования, составляют ~ 100 МPа. Численным решением уравнения теплопроводности найдено распределение температур и механических напряжений на поверхности полупроводника для случая импульсного лазерного облучения. Action of the laser pulse (τP = 1 ms, λ = 0.694 μm and energy ≤ 1 J) on the surface (111) of GaAs single crystal has been investigated. It was established that the process of defects formation is activated at shear strain up to ~ 100 MPa. Temperature and strain fields were determined by numerical solution of heat conduction equation for the case of pulsed laser irradiation of semiconductor surface. 2008 Article Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом / Д.С. Москаль, В.А. Надточий // Физика и техника высоких давлений. — 2008. — Т. 18, № 2. — С. 154-160. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 71.10.–W http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70449 ru Физика и техника высоких давлений Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Исследовано воздействие лазерного импульса с длиной волны τP = 1 ms, λ = 0.694 μm и энергией ≤ 1 J на поверхность (111) монокристаллического GaAs. Установлено, что минимальные сдвиговые напряжения, при которых активируются процессы точечного дефектообразования, составляют ~ 100 МPа. Численным решением уравнения теплопроводности найдено распределение температур и механических напряжений на поверхности полупроводника для случая импульсного лазерного облучения. |
| format |
Article |
| author |
Москаль, Д.С. Надточий, В.А. |
| spellingShingle |
Москаль, Д.С. Надточий, В.А. Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом Физика и техника высоких давлений |
| author_facet |
Москаль, Д.С. Надточий, В.А. |
| author_sort |
Москаль, Д.С. |
| title |
Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом |
| title_short |
Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом |
| title_full |
Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом |
| title_fullStr |
Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом |
| title_full_unstemmed |
Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом |
| title_sort |
распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов gaas, облучаемой лазерным импульсом |
| publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| publishDate |
2008 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70449 |
| citation_txt |
Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом / Д.С. Москаль, В.А. Надточий // Физика и техника высоких давлений. — 2008. — Т. 18, № 2. — С. 154-160. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| series |
Физика и техника высоких давлений |
| work_keys_str_mv |
AT moskalʹds raspredelenietermouprugihnaprâženijpopoverhnostimonokristallovgaasoblučaemojlazernymimpulʹsom AT nadtočijva raspredelenietermouprugihnaprâženijpopoverhnostimonokristallovgaasoblučaemojlazernymimpulʹsom |
| first_indexed |
2023-10-18T18:58:35Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:58:35Z |
| _version_ |
1796145669359009792 |