Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом

Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом

Исследовано воздействие лазерного импульса с длиной волны τP = 1 ms, λ = 0.694 μm и энергией ≤ 1 J на поверхность (111) монокристаллического GaAs. Установлено, что минимальные сдвиговые напряжения, при которых активируются процессы точечного дефектообразования, составляют ~ 100 МPа. Численным решени...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
Дата:2008
Автори: Москаль, Д.С., Надточий, В.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2008
Назва видання:Физика и техника высоких давлений
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70449
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом / Д.С. Москаль, В.А. Надточий // Физика и техника высоких давлений. — 2008. — Т. 18, № 2. — С. 154-160. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-70449
record_format dspace
spelling irk-123456789-704492014-11-07T03:01:42Z Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом Москаль, Д.С. Надточий, В.А. Исследовано воздействие лазерного импульса с длиной волны τP = 1 ms, λ = 0.694 μm и энергией ≤ 1 J на поверхность (111) монокристаллического GaAs. Установлено, что минимальные сдвиговые напряжения, при которых активируются процессы точечного дефектообразования, составляют ~ 100 МPа. Численным решением уравнения теплопроводности найдено распределение температур и механических напряжений на поверхности полупроводника для случая импульсного лазерного облучения. Action of the laser pulse (τP = 1 ms, λ = 0.694 μm and energy ≤ 1 J) on the surface (111) of GaAs single crystal has been investigated. It was established that the process of defects formation is activated at shear strain up to ~ 100 MPa. Temperature and strain fields were determined by numerical solution of heat conduction equation for the case of pulsed laser irradiation of semiconductor surface. 2008 Article Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом / Д.С. Москаль, В.А. Надточий // Физика и техника высоких давлений. — 2008. — Т. 18, № 2. — С. 154-160. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 71.10.–W http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70449 ru Физика и техника высоких давлений Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Исследовано воздействие лазерного импульса с длиной волны τP = 1 ms, λ = 0.694 μm и энергией ≤ 1 J на поверхность (111) монокристаллического GaAs. Установлено, что минимальные сдвиговые напряжения, при которых активируются процессы точечного дефектообразования, составляют ~ 100 МPа. Численным решением уравнения теплопроводности найдено распределение температур и механических напряжений на поверхности полупроводника для случая импульсного лазерного облучения.
format Article
author Москаль, Д.С.
Надточий, В.А.
spellingShingle Москаль, Д.С.
Надточий, В.А.
Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом
Физика и техника высоких давлений
author_facet Москаль, Д.С.
Надточий, В.А.
author_sort Москаль, Д.С.
title Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом
title_short Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом
title_full Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом
title_fullStr Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом
title_full_unstemmed Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом
title_sort распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов gaas, облучаемой лазерным импульсом
publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
publishDate 2008
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70449
citation_txt Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом / Д.С. Москаль, В.А. Надточий // Физика и техника высоких давлений. — 2008. — Т. 18, № 2. — С. 154-160. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
series Физика и техника высоких давлений
work_keys_str_mv AT moskalʹds raspredelenietermouprugihnaprâženijpopoverhnostimonokristallovgaasoblučaemojlazernymimpulʹsom
AT nadtočijva raspredelenietermouprugihnaprâženijpopoverhnostimonokristallovgaasoblučaemojlazernymimpulʹsom
first_indexed 2023-10-18T18:58:35Z
last_indexed 2023-10-18T18:58:35Z
_version_ 1796145669359009792

Схожі ресурси