Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F

Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F

Предложена методика построения и расчета выходной нагрузочной цепи для усилителя мощности класса F с добавлением третьей гармоники напряжения, которая позволяет скомпенсировать негативное влияние паразитных элементов транзистора на стоковый КПД усилителя. Такая цепь позволяет оптимизировать стоковый...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Ефимович, А.П., Крыжановский, В.Г.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
СВЧ-техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70534
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F / А.П. Ефимович, В.Г. Крыжановский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 1. — С. 3-10. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-70534
record_format dspace
spelling irk-123456789-705342017-04-10T13:07:22Z Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F Ефимович, А.П. Крыжановский, В.Г. СВЧ-техника Предложена методика построения и расчета выходной нагрузочной цепи для усилителя мощности класса F с добавлением третьей гармоники напряжения, которая позволяет скомпенсировать негативное влияние паразитных элементов транзистора на стоковый КПД усилителя. Такая цепь позволяет оптимизировать стоковый КПД усилителя с помощью независимой настройки импедансов на первой и третьей гармониках. Представлены результаты моделирования и экспериментального исследования энергетических характеристик такого усилителя на арсенид-галлиевом полевом транзисторе CLY15, рассчитанного на рабочую частоту 400 МГц. Запропоновано методику побудови та розрахунку вихідного навантажувального кола для підсилювача потужності класу F з додаванням третьої гармоніки напруги, яка дозволяє компенсувати негативний вплив паразитних елементів транзистору на стоковий ККД підсилювача. Застосування запропонованого кола дозволяє здійснювати оптимізацію стокового ККД підсилювача за допомогою незалежних налаштувань імпедансів на першій та третій гармоніках. Представлено результати моделювання та експериментального дослідження енергетичних характеристик такого підсилювача на арсенід-галлієвому польовому транзисторі CLY15, розрахованого на робочу частоту 400 МГц. The authors present a new method of construction and calculation of the output load circuit (OLC) for class F power amplifiers (PA) with the addition of the third harmonic of the voltage. This method allows compensating the negative influences of parasitic elements of transistor (output capacitance — COUT, and inductance — LOUT) on the drain efficiency of the amplifier. The circuit of the parasitic elements was considered as a part of the proposed OLC. To calculate the OLC a system of three algebraic equations was compiled. The system is solved numerically relative to the three parameters of the OLC, for which the impedance on a chip of the transistor (on COUT) for odd and even harmonics corresponds to the theory of class F PAs. This method is applicable for the calculation of the OLC, which is realized in the frequency range of 300—500 MHz, where the use of elements with lumped parameters only is not always possible, while using elements with distributed parameters leads to a substantial increase in the size of the whole amplifier. In the developed OLC, the authors used elements with both lumped and distributed parameters, thus achieving a compromise between the geometric dimensions and physical realizability of the circuit elements. The proposed OLC, taking into account the parasitic elements of the transistor, allows setting impedances independently at the first and third harmonics while maintaining impedance at the second harmonic tending to zero. This makes it possible to optimize the drain efficiency at a given level of output power. The efficiency hd = 72,5% was experimentally obtained at POUT = 1,045 W for the class F amplifier running at 400 MHz. The proposed methodology for constructing and calculating the OLC can be used to implement class F power amplifiers in the integrated-circuit form. 2014 Article Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F / А.П. Ефимович, В.Г. Крыжановский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 1. — С. 3-10. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/tkea2014.1.03 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70534 621.375.4 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic СВЧ-техника
СВЧ-техника
spellingShingle СВЧ-техника
СВЧ-техника
Ефимович, А.П.
Крыжановский, В.Г.
Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Предложена методика построения и расчета выходной нагрузочной цепи для усилителя мощности класса F с добавлением третьей гармоники напряжения, которая позволяет скомпенсировать негативное влияние паразитных элементов транзистора на стоковый КПД усилителя. Такая цепь позволяет оптимизировать стоковый КПД усилителя с помощью независимой настройки импедансов на первой и третьей гармониках. Представлены результаты моделирования и экспериментального исследования энергетических характеристик такого усилителя на арсенид-галлиевом полевом транзисторе CLY15, рассчитанного на рабочую частоту 400 МГц.
format Article
author Ефимович, А.П.
Крыжановский, В.Г.
author_facet Ефимович, А.П.
Крыжановский, В.Г.
author_sort Ефимович, А.П.
title Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F
title_short Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F
title_full Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F
title_fullStr Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F
title_full_unstemmed Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F
title_sort компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса f
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2014
topic_facet СВЧ-техника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70534
citation_txt Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F / А.П. Ефимович, В.Г. Крыжановский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 1. — С. 3-10. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT efimovičap kompensaciâparazitnyhélementovtranzistorasnastrojkojimpedansovnagarmonikahvusiliteleklassaf
AT kryžanovskijvg kompensaciâparazitnyhélementovtranzistorasnastrojkojimpedansovnagarmonikahvusiliteleklassaf
first_indexed 2023-10-18T18:58:44Z
last_indexed 2023-10-18T18:58:44Z
_version_ 1796145675928338432

Схожі ресурси