Использование щелевых резонаторов для проектирования усилителя мощности с манипуляцией гармоник

• Дата: 2014
• Автори: Рассохина, Ю.В., Крыжановский, В.Г., Коваленко, В.А., Colantonio, P., Giofre, R.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: СВЧ-техника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70550
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Использование щелевых резонаторов для проектирования усилителя мощности с манипуляцией гармоник / Ю.В. Рассохина, В.Г. Крыжановский, В.А. Коваленко, P. Colantonio, R. Giofre // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 18-23. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Предложена и экспериментально проверена схема усилителя мощности инверсного класса F (F⁻¹) на основе GaN-транзистора NPTB00004, работающего на частоте 1,7 ГГц. Новым при этом является использование в схеме трехслойной структуры на основе щелевых резонаторов прямоугольной формы в заземляющей плоскости микрополосковой линии передачи в качестве фильтра высших гармоник. Для контроля уровней второй и третьей гармоник в спектре выходного сигнала и одновременно для согласования с 50-омной нагрузкой на рабочей частоте усилителя используется планарная периодическая структура, состоящая из двух щелевых резонаторов различной длины. КПД по добавленной мощности экспериментального макета усилителя составил 60% при выходной мощности 3,9 Вт и коэффициенте усиления 13 дБ.