Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем

В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет полупроводниковый характер, а температурная зависимост...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Марьянчук, П.Д., Дымко, Л.Н., Романишин, Т.Р., Ковалюк, Т.Т., Брус, В.В., Солован, М.Н., Мостовой, А.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70557
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем / П.Д. Марьянчук, Л.Н. Дымко, Т.Р. Романишин, Т.Т. Ковалюк, В.В. Брус, М.Н. Солован, А.И. Мостовой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 54-60. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет полупроводниковый характер, а температурная зависимость коэффициента Холла свидетельствует о смешанном типе проводимости. Особенности магнитных свойств обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn—Тe—Mn—Тe, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется косвенное обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. На основе проведенных исследований определены зонные параметры и построена схема зонной структуры кристаллов с концентрацией атомов марганца около 10²⁰ см⁻³.