Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет полупроводниковый характер, а температурная зависимост...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70557 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем / П.Д. Марьянчук, Л.Н. Дымко, Т.Р. Романишин, Т.Т. Ковалюк, В.В. Брус, М.Н. Солован, А.И. Мостовой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 54-60. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70557 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-705572017-04-10T13:28:23Z Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем Марьянчук, П.Д. Дымко, Л.Н. Романишин, Т.Р. Ковалюк, Т.Т. Брус, В.В. Солован, М.Н. Мостовой, А.И. Материалы электроники В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет полупроводниковый характер, а температурная зависимость коэффициента Холла свидетельствует о смешанном типе проводимости. Особенности магнитных свойств обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn—Тe—Mn—Тe, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется косвенное обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. На основе проведенных исследований определены зонные параметры и построена схема зонной структуры кристаллов с концентрацией атомов марганца около 10²⁰ см⁻³. В результаті досліджень магнітних, кінетичних і оптичних властивостей кристалів (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x:<Mn> (x=0,5) встановлено, що в них мають місце прямі міжзонні оптичні переходи. Температурна залежність електропровідності зразків має напівпровідниковий характер, а температурна залежність коефіцієнта Холла свідчить про змішаний тип провідності. Особливості магнітних властивостей обумовлені наявністю в кристалах кластерів типу Mn—Тe—Mn—Тe, в яких між атомами Mn через атоми халькогена здійснюється опосередкована обмінна взаємодія антиферомагнітного характеру. Визначено зонні параметри і побудовано схему зонної структури для кристалів з концентрацією атомів марганцю приблизно 10²⁰ см⁻³. This paper presents the results of the analysis of magnetic, optical, kinetic properties and band parameters of (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x crystals doped by manganese. 2014 Article Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем / П.Д. Марьянчук, Л.Н. Дымко, Т.Р. Романишин, Т.Т. Ковалюк, В.В. Брус, М.Н. Солован, А.И. Мостовой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 54-60. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2014.2-3.54 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70557 621.315.592 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Марьянчук, П.Д. Дымко, Л.Н. Романишин, Т.Р. Ковалюк, Т.Т. Брус, В.В. Солован, М.Н. Мостовой, А.И. Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет полупроводниковый характер, а температурная зависимость коэффициента Холла свидетельствует о смешанном типе проводимости. Особенности магнитных свойств обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn—Тe—Mn—Тe, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется косвенное обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. На основе проведенных исследований определены зонные параметры и построена схема зонной структуры кристаллов с концентрацией атомов марганца около 10²⁰ см⁻³. |
| format |
Article |
| author |
Марьянчук, П.Д. Дымко, Л.Н. Романишин, Т.Р. Ковалюк, Т.Т. Брус, В.В. Солован, М.Н. Мостовой, А.И. |
| author_facet |
Марьянчук, П.Д. Дымко, Л.Н. Романишин, Т.Р. Ковалюк, Т.Т. Брус, В.В. Солован, М.Н. Мостовой, А.И. |
| author_sort |
Марьянчук, П.Д. |
| title |
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем |
| title_short |
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем |
| title_full |
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем |
| title_fullStr |
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем |
| title_full_unstemmed |
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем |
| title_sort |
физические свойства и зонная структура кристаллов (3hgte)1-x(al₂te₃)x, легированных марганцем |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2014 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70557 |
| citation_txt |
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем / П.Д. Марьянчук, Л.Н. Дымко, Т.Р. Романишин, Т.Т. Ковалюк, В.В. Брус, М.Н. Солован, А.И. Мостовой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 54-60. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT marʹânčukpd fizičeskiesvojstvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT dymkoln fizičeskiesvojstvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT romanišintr fizičeskiesvojstvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT kovalûktt fizičeskiesvojstvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT brusvv fizičeskiesvojstvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT solovanmn fizičeskiesvojstvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT mostovojai fizičeskiesvojstvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem |
| first_indexed |
2023-10-18T18:58:48Z |
| last_indexed |
2024-03-30T07:58:47Z |
| _version_ |
1796145678376763392 |