Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС

Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС

Предложен вариант комбинированного конденсаторного диэлектрика на основе пентаоксида тантала для конденсаторов СБИС. Для поиска оптимального сочетания слоев, при котором система Si — SiO₂ — Ta₂O₅ не испытывает упругой механической деформации, была построена модель упругих напряжений. Расчет показал,...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2003
Автори: Пилипенко, В.А., Пономарь, В.Н., Петлицкая, Т.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Проектирование. Конструирование
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70589
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС / В.А. Пилипенко, В.Н. Пономарь, Т.В. Петлицкая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 19-20. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-70589
record_format dspace
spelling irk-123456789-705892014-11-09T03:01:45Z Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС Пилипенко, В.А. Пономарь, В.Н. Петлицкая, Т.В. Проектирование. Конструирование Предложен вариант комбинированного конденсаторного диэлектрика на основе пентаоксида тантала для конденсаторов СБИС. Для поиска оптимального сочетания слоев, при котором система Si — SiO₂ — Ta₂O₅ не испытывает упругой механической деформации, была построена модель упругих напряжений. Расчет показал, что при соотношении толщины пленок Ta₂O₅ и SiO₂ как 1:10 радиус кривизны пластины со сформированными диэлектриками стремится к бесконечности, а сама кривизна – к нулю. Рассчитаны упругие постоянные для пленки Ta₂O₅. Owing to rise in VLSIC integration, searching for new materials for VLSIC capacitor becomes significant. There was proposed a version of combined capacitor dielectric for VLSIC capacitors on basis of tantalum pentaoxide. Pentaoxide of tantalum has a very high permittivity and good technological compatibility with silicon oxide. The peculiarity of two-layer combined dielectric SiO₂—Ta₂O₅ is that the polarity of voltages development in the systems Si—SiO₂ and Si—Ta₂O₅ has different values. To find an optimal combination of layers when the system does not experience mechanical elastic deformation, there was built a model of elastic stresses in the system Si—SiO₂—Ta₂O₅. The calculations showed, when width of Ta₂O₅ and SiO₂ are in the ratio 1:10, wafer radius of curvature with formed dielectrics approaches infinity, the curvature itself – zero. Besides that, based on experimental data and by means of mathematical mode, there were calculated elastic constants for Ta₂O₅ film. 2003 Article Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС / В.А. Пилипенко, В.Н. Пономарь, Т.В. Петлицкая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 19-20. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70589 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Проектирование. Конструирование
Проектирование. Конструирование
spellingShingle Проектирование. Конструирование
Проектирование. Конструирование
Пилипенко, В.А.
Пономарь, В.Н.
Петлицкая, Т.В.
Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Предложен вариант комбинированного конденсаторного диэлектрика на основе пентаоксида тантала для конденсаторов СБИС. Для поиска оптимального сочетания слоев, при котором система Si — SiO₂ — Ta₂O₅ не испытывает упругой механической деформации, была построена модель упругих напряжений. Расчет показал, что при соотношении толщины пленок Ta₂O₅ и SiO₂ как 1:10 радиус кривизны пластины со сформированными диэлектриками стремится к бесконечности, а сама кривизна – к нулю. Рассчитаны упругие постоянные для пленки Ta₂O₅.
format Article
author Пилипенко, В.А.
Пономарь, В.Н.
Петлицкая, Т.В.
author_facet Пилипенко, В.А.
Пономарь, В.Н.
Петлицкая, Т.В.
author_sort Пилипенко, В.А.
title Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС
title_short Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС
title_full Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС
title_fullStr Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС
title_full_unstemmed Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС
title_sort учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов сбис
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2003
topic_facet Проектирование. Конструирование
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70589
citation_txt Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС / В.А. Пилипенко, В.Н. Пономарь, Т.В. Петлицкая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 19-20. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT pilipenkova učetmehaničeskihnaprâženijvkombinirovannyhdiélektrikahdlâkondensatorovsbis
AT ponomarʹvn učetmehaničeskihnaprâženijvkombinirovannyhdiélektrikahdlâkondensatorovsbis
AT petlickaâtv učetmehaničeskihnaprâženijvkombinirovannyhdiélektrikahdlâkondensatorovsbis
first_indexed 2023-10-18T18:58:51Z
last_indexed 2023-10-18T18:58:51Z
_version_ 1796145681027563520

Схожі ресурси