Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне
Впервые предложена и численно реализована методика моделирования оптимальных схем лазерных фотоионизационных технологий контроля и очистки вещества на атомном уровне (на примере анализа примесей Al в образце Ge). Схема лазерного фотоионизационного разделения включает на первом этапе возбуждение атом...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70595 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне / С.В. Амбросов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 38-41. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70595 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-705952014-11-09T03:01:58Z Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне Амбросов, С.В. Технология производства Впервые предложена и численно реализована методика моделирования оптимальных схем лазерных фотоионизационных технологий контроля и очистки вещества на атомном уровне (на примере анализа примесей Al в образце Ge). Схема лазерного фотоионизационного разделения включает на первом этапе возбуждение атомов примесей в образце посредством резонансного лазерного излучения, на втором этапе — перевод атомов в высоковозбужденные ридберговские состояния и затем ионизацию электрическим полем. Разработанный подход позволяет выбирать как оптимизированные значения ключевых физических параметров схем разделения, так и наиболее оптимальный вариант схемы в целом. It is proposed and realized a new approach to numerical modeling of optimal schemes for the laser photoionization technologies of control and refinement on atomic level (on example of analysis of the Al admixtures in the Ge sample). The separation laser photoionization scheme includes an excitement of atoms of the admixture in a sample by resonant laser radiation as a first step, a transfer of atoms into high-excited Rydberg states as a second step and then ionization of excited atoms by electric field. Proposed approach allows choosing the optimized values of key physical parameters for the separation scheme and the most optimal variant of a scheme in a whole. It provides an effectiveness and optimality of technology. 2003 Article Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне / С.В. Амбросов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 38-41. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70595 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технология производства Технология производства |
| spellingShingle |
Технология производства Технология производства Амбросов, С.В. Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Впервые предложена и численно реализована методика моделирования оптимальных схем лазерных фотоионизационных технологий контроля и очистки вещества на атомном уровне (на примере анализа примесей Al в образце Ge). Схема лазерного фотоионизационного разделения включает на первом этапе возбуждение атомов примесей в образце посредством резонансного лазерного излучения, на втором этапе — перевод атомов в высоковозбужденные ридберговские состояния и затем ионизацию электрическим полем. Разработанный подход позволяет выбирать как оптимизированные значения ключевых физических параметров схем разделения, так и наиболее оптимальный вариант схемы в целом. |
| format |
Article |
| author |
Амбросов, С.В. |
| author_facet |
Амбросов, С.В. |
| author_sort |
Амбросов, С.В. |
| title |
Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне |
| title_short |
Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне |
| title_full |
Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне |
| title_fullStr |
Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне |
| title_full_unstemmed |
Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне |
| title_sort |
численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2003 |
| topic_facet |
Технология производства |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70595 |
| citation_txt |
Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне / С.В. Амбросов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 38-41. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT ambrosovsv čislennoemodelirovanielazernyhfotoionizacionnyhtehnologijočistkiveŝestvanaatomnomurovne |
| first_indexed |
2023-10-18T18:58:52Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:58:52Z |
| _version_ |
1796145681664049152 |