Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
Исследовано влияние поглощения излучения в квантовых точках (КТ) InSb на эффективность термофотовольтаических (ТФВ) элементов на основе GaSb. Показано, что введение КТ позволяет значительно расширить спектральный диапазон фоточувствительности и повысить эффективность ТФВ-элементов. Анализ оптических...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70598 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, А.Ю. Далечин, А.Ю. Карманный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 46-48. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70598 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-705982014-11-09T03:01:43Z Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. Далечин, А.Ю. Карманный, А.Ю. Термофотовольтаика Исследовано влияние поглощения излучения в квантовых точках (КТ) InSb на эффективность термофотовольтаических (ТФВ) элементов на основе GaSb. Показано, что введение КТ позволяет значительно расширить спектральный диапазон фоточувствительности и повысить эффективность ТФВ-элементов. Анализ оптических переходов в КТ InSb, а также зависимости термодинамической эффективности ТФВ-элемента от размеров КТ позволил определить оптимальный тип проводимости, уровень легирования материала матрицы, а также выбрать оптимальный диаметр КТ. The investigation results of influence of InSb quantum dots photon absorbtion on GaSb termophotovoltaic cells efficiency are presented. It is shown, that quantum dots introduction allows to expand a spectral range of photosensivity considerably and, thus, to increase efficency of thermophotovoltaic cells. The analysis of optical transitions in InSb quantum dots and dependences of thermophotovoltaic cells efficiency on the quantum dots sizes had allowed to determine optimum type of conductivity and doping level of a matrix material and also to determine optimum quantum dots diameter. 2003 Article Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, А.Ю. Далечин, А.Ю. Карманный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 46-48. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70598 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Термофотовольтаика Термофотовольтаика |
| spellingShingle |
Термофотовольтаика Термофотовольтаика Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. Далечин, А.Ю. Карманный, А.Ю. Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследовано влияние поглощения излучения в квантовых точках (КТ) InSb на эффективность термофотовольтаических (ТФВ) элементов на основе GaSb. Показано, что введение КТ позволяет значительно расширить спектральный диапазон фоточувствительности и повысить эффективность ТФВ-элементов. Анализ оптических переходов в КТ InSb, а также зависимости термодинамической эффективности ТФВ-элемента от размеров КТ позволил определить оптимальный тип проводимости, уровень легирования материала матрицы, а также выбрать оптимальный диаметр КТ. |
| format |
Article |
| author |
Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. Далечин, А.Ю. Карманный, А.Ю. |
| author_facet |
Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. Далечин, А.Ю. Карманный, А.Ю. |
| author_sort |
Андронова, Е.В. |
| title |
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb |
| title_short |
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb |
| title_full |
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb |
| title_fullStr |
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb |
| title_full_unstemmed |
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb |
| title_sort |
использование квантовых точек insb в термофотовольтаических преобразователях на основе gasb |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2003 |
| topic_facet |
Термофотовольтаика |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70598 |
| citation_txt |
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, А.Ю. Далечин, А.Ю. Карманный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 46-48. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT andronovaev ispolʹzovaniekvantovyhtočekinsbvtermofotovolʹtaičeskihpreobrazovatelâhnaosnovegasb AT baganovea ispolʹzovaniekvantovyhtočekinsbvtermofotovolʹtaičeskihpreobrazovatelâhnaosnovegasb AT dalečinaû ispolʹzovaniekvantovyhtočekinsbvtermofotovolʹtaičeskihpreobrazovatelâhnaosnovegasb AT karmannyjaû ispolʹzovaniekvantovyhtočekinsbvtermofotovolʹtaičeskihpreobrazovatelâhnaosnovegasb |
| first_indexed |
2023-10-18T18:58:52Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:58:52Z |
| _version_ |
1796145681984913408 |