Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃

Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO₂—Nd₂O₃, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэле...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2003
Автори: Казаков, А.И., Андриянов, А.В., Миронов, В.С., Поляруш, О.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70600
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ / А.И. Казаков, А.В. Андриянов, В.С. Миронов, О.В. Поляруш // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-70600
record_format dspace
spelling irk-123456789-706002014-11-09T03:01:44Z Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ Казаков, А.И. Андриянов, А.В. Миронов, В.С. Поляруш, О.В. Материалы электроники Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO₂—Nd₂O₃, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэлектрическими характеристиками в широком частотном диапазоне. Результаты расчета использовались для оптимизации параметров тонкопленочных излучателей с диэлектрической пленкой системы HfO₂—Nd₂O₃. The calculation technique of film parameters of multicomponent system HfO₂—Nd₂O₃, obtained electron beam evaporation in vacuum, with non-uniform distribution of components on thickness is offered. The calculation data well correlate with results of experiment, that allows to obtained of a film with given dielectrical characteristics in a wide frequency range. The calculation results were used for optimization of parameters thin-film emitter with the dielectrical film of system HHfO₂—Nd₂O₃. 2003 Article Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ / А.И. Казаков, А.В. Андриянов, В.С. Миронов, О.В. Поляруш // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70600 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы электроники
Материалы электроники
spellingShingle Материалы электроники
Материалы электроники
Казаков, А.И.
Андриянов, А.В.
Миронов, В.С.
Поляруш, О.В.
Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO₂—Nd₂O₃, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэлектрическими характеристиками в широком частотном диапазоне. Результаты расчета использовались для оптимизации параметров тонкопленочных излучателей с диэлектрической пленкой системы HfO₂—Nd₂O₃.
format Article
author Казаков, А.И.
Андриянов, А.В.
Миронов, В.С.
Поляруш, О.В.
author_facet Казаков, А.И.
Андриянов, А.В.
Миронов, В.С.
Поляруш, О.В.
author_sort Казаков, А.И.
title Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
title_short Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
title_full Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
title_fullStr Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
title_full_unstemmed Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
title_sort расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы hfo₂—nd₂o₃
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2003
topic_facet Материалы электроники
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70600
citation_txt Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ / А.И. Казаков, А.В. Андриянов, В.С. Миронов, О.В. Поляруш // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT kazakovai rasčetčastotnojzavisimostidiélektričeskihharakteristiktonkihplenoksistemyhfo2nd2o3
AT andriânovav rasčetčastotnojzavisimostidiélektričeskihharakteristiktonkihplenoksistemyhfo2nd2o3
AT mironovvs rasčetčastotnojzavisimostidiélektričeskihharakteristiktonkihplenoksistemyhfo2nd2o3
AT polârušov rasčetčastotnojzavisimostidiélektričeskihharakteristiktonkihplenoksistemyhfo2nd2o3
first_indexed 2023-10-18T18:58:53Z
last_indexed 2023-10-18T18:58:53Z
_version_ 1796145682196725760