Установка толстослойного анодирования алюминия
С целью повышения эффективности охлаждения пластин при получении оснований из анодированного алюминия предложено производить процесс толстослойного анодирования при непрерывном движении пластин. На этом принципе создана установка динамического анодирования, которая обеспечивает получение оксидных сл...
Збережено в:
Дата: | 2003 |
---|---|
Автори: | Сокол, В.А., Игнашев, Е.П. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70611 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Установка толстослойного анодирования алюминия / В.А. Сокол, Е.П. Игнашев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 40-41. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
за авторством: Литвинович, Г.В., та інші
Опубліковано: (2000) -
Многокристальные модули на анодированной алюминиевой подложке
за авторством: Сокол, В.А., та інші
Опубліковано: (2002) -
Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001) -
Получение кремния электродным восстановлением продуктов пиролиза рисовой лузги
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003) -
Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников
за авторством: Васильев, В.А.
Опубліковано: (2002)