Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А²В⁶ и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с ра...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70614 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ю.Н. Бобренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 49-50. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70614 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-706142014-11-10T03:01:52Z Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ Колежук, К.В. Комащенко, В.Н. Шереметова, Г.И. Бобренко, Ю.Н. Оптоэлектроника Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А²В⁶ и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с различной шириной запрещенной зоны позволяет минимизировать рекомбинационные потери и конструировать новые типы эффективных сенсоров излучения на основе широкозонных полупроводников, выращенных на узкозонной подложке. We show that (i) some heterostructure concepts may be applied to polycrystalline objects made on the basis of lattice-mismatched II-VI compounds, and (ii) such multilayer heterostructures are promising for development of photoelectric devices. Presence of potential barriers at interfaces between semiconductors with different gap values enables one to minimize recombination losses and develop efficient new-type radiation sensors made on the basis of wide-gap semiconductors grown on a narrow-gap substrate. 2003 Article Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ю.Н. Бобренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 49-50. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70614 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Оптоэлектроника Оптоэлектроника |
| spellingShingle |
Оптоэлектроника Оптоэлектроника Колежук, К.В. Комащенко, В.Н. Шереметова, Г.И. Бобренко, Ю.Н. Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А²В⁶ и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с различной шириной запрещенной зоны позволяет минимизировать рекомбинационные потери и конструировать новые типы эффективных сенсоров излучения на основе широкозонных полупроводников, выращенных на узкозонной подложке. |
| format |
Article |
| author |
Колежук, К.В. Комащенко, В.Н. Шереметова, Г.И. Бобренко, Ю.Н. |
| author_facet |
Колежук, К.В. Комащенко, В.Н. Шереметова, Г.И. Бобренко, Ю.Н. |
| author_sort |
Колежук, К.В. |
| title |
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ |
| title_short |
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ |
| title_full |
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ |
| title_fullStr |
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ |
| title_full_unstemmed |
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ |
| title_sort |
многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений а²в⁶ |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2003 |
| topic_facet |
Оптоэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70614 |
| citation_txt |
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ю.Н. Бобренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 49-50. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT koležukkv mnogoslojnyegeterostrukturynaosnovepolikristalličeskihplenoksoedinenija2v6 AT komaŝenkovn mnogoslojnyegeterostrukturynaosnovepolikristalličeskihplenoksoedinenija2v6 AT šeremetovagi mnogoslojnyegeterostrukturynaosnovepolikristalličeskihplenoksoedinenija2v6 AT bobrenkoûn mnogoslojnyegeterostrukturynaosnovepolikristalličeskihplenoksoedinenija2v6 |
| first_indexed |
2023-10-18T18:58:55Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:58:55Z |
| _version_ |
1796145683681509376 |