Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶

• Дата: 2003
• Автори: Колежук, К.В., Комащенко, В.Н., Шереметова, Г.И., Бобренко, Ю.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Оптоэлектроника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70614
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ю.Н. Бобренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 49-50. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А²В⁶ и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с ра...