Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
Разработана и изготовлена опытная партия селективных и широкополосных сенсоров ультрафиолетового излучения нового поколения на основе слоистых гетероструктур в системе широкозонных полупроводников А²В⁶ и их твердых растворов. Созданные сенсоры не имеют промышленных аналогов в мире. Их основной отлич...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70640 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ф.И. Коржинский, В.М. Чмиль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 51-52. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |