Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комб...
Збережено в:
Дата: | 2003 |
---|---|
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70642 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков / Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, А.Н. Иващенко, В.И. Босый, А.Г. Максименко, С.В. Сапон // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 59-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-70642 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-706422014-11-10T03:01:57Z Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков Шварц, Ю.М. Шварц, М.М. Иващенко, А.Н. Босый, В.И. Максименко, А.Г. Сапон, С.В. Твердотельная СВЧ-микроэлектроника Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комбинированного воздействия низких и высоких температур, термоциклов, механических ударов и вибраций, климатических факторов, высокой радиации и т. д. We have developed the new type of the silicon diode temperature sensors (DTSs) with advanced characteristics on the base of highly doped p-n silicon structures. The industrial technology of manufacturing such type of structures with minimized leakage and generation-recombination currents (almost ideal diode) have provided to make the advanced diode temperature sensors for extreme electronics. The design and assembly technology for the DTSs has been developed with making use of laser engineering for the package production. 2003 Article Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков / Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, А.Н. Иващенко, В.И. Босый, А.Г. Максименко, С.В. Сапон // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 59-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70642 536.53 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Твердотельная СВЧ-микроэлектроника Твердотельная СВЧ-микроэлектроника |
spellingShingle |
Твердотельная СВЧ-микроэлектроника Твердотельная СВЧ-микроэлектроника Шварц, Ю.М. Шварц, М.М. Иващенко, А.Н. Босый, В.И. Максименко, А.Г. Сапон, С.В. Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
description |
Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комбинированного воздействия низких и высоких температур, термоциклов, механических ударов и вибраций, климатических факторов, высокой радиации и т. д. |
format |
Article |
author |
Шварц, Ю.М. Шварц, М.М. Иващенко, А.Н. Босый, В.И. Максименко, А.Г. Сапон, С.В. |
author_facet |
Шварц, Ю.М. Шварц, М.М. Иващенко, А.Н. Босый, В.И. Максименко, А.Г. Сапон, С.В. |
author_sort |
Шварц, Ю.М. |
title |
Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
title_short |
Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
title_full |
Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
title_fullStr |
Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
title_full_unstemmed |
Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
title_sort |
новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
publishDate |
2003 |
topic_facet |
Твердотельная СВЧ-микроэлектроника |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70642 |
citation_txt |
Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков / Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, А.Н. Иващенко, В.И. Босый, А.Г. Максименко, С.В. Сапон // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 59-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
work_keys_str_mv |
AT švarcûm novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov AT švarcmm novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov AT ivaŝenkoan novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov AT bosyjvi novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov AT maksimenkoag novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov AT saponsv novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov |
first_indexed |
2023-10-18T18:58:59Z |
last_indexed |
2023-10-18T18:58:59Z |
_version_ |
1796145686655270912 |