Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает чувствительность инжекционного фотодиода....
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70654 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом / И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, Р.Г. Сидорец, Ю.Г. Туманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 4. — С. 46-49. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает чувствительность инжекционного фотодиода. |
|---|