Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений

Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений

Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зон...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Дата:2003
Автори: Кондрик, А.И., Ковтун, Г.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Материалы для микроэлектроники
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70708
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-70708
record_format dspace
spelling irk-123456789-707082014-11-12T03:01:56Z Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П. Материалы для микроэлектроники Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зоны Eg0 (при Т=0) от 1,6 эВ (CСdTe=1) до 1,8 эВ (CСdTe"0,8) приводит к увеличению ρ примерно на два порядка. При сохранении исходного состава фоновых примесей дальнейшее увеличение Eg0 вплоть до 2,1 эВ (соответствующее CСdTe"0,5) существенно не влияет на величину Eg0. 2003 Article Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70708 621.315.592:546.28 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы для микроэлектроники
Материалы для микроэлектроники
spellingShingle Материалы для микроэлектроники
Материалы для микроэлектроники
Кондрик, А.И.
Ковтун, Г.П.
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зоны Eg0 (при Т=0) от 1,6 эВ (CСdTe=1) до 1,8 эВ (CСdTe"0,8) приводит к увеличению ρ примерно на два порядка. При сохранении исходного состава фоновых примесей дальнейшее увеличение Eg0 вплоть до 2,1 эВ (соответствующее CСdTe"0,5) существенно не влияет на величину Eg0.
format Article
author Кондрик, А.И.
Ковтун, Г.П.
author_facet Кондрик, А.И.
Ковтун, Г.П.
author_sort Кондрик, А.И.
title Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
title_short Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
title_full Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
title_fullStr Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
title_full_unstemmed Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
title_sort исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2003
topic_facet Материалы для микроэлектроники
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70708
citation_txt Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT kondrikai issledovaniesvojstvpoluprovodnikovyhmaterialovdlâdetektorovioniziruûŝihizlučenij
AT kovtungp issledovaniesvojstvpoluprovodnikovyhmaterialovdlâdetektorovioniziruûŝihizlučenij
first_indexed 2023-10-18T18:59:07Z
last_indexed 2023-10-18T18:59:07Z
_version_ 1796145692888006656

Схожі ресурси