Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70709 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки / И.Е. Марончук, В.В. Курак, Е.В. Андронова, Е.А. Баганов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 6-9. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70709 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-707092014-11-12T03:01:59Z Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки Марончук, И.Е. Курак, В.В. Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. Материалы для микроэлектроники Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки раствором-расплавом образование твердых растворов InGaAsSb в процессе роста эпитаксиального слоя GaSb не происходит, поскольку твердофазное растворение GaSb подложкой InAs является энергетически невыгодным. 2003 Article Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки / И.Е. Марончук, В.В. Курак, Е.В. Андронова, Е.А. Баганов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 6-9. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70709 621.362:621.383 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники |
| spellingShingle |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники Марончук, И.Е. Курак, В.В. Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки раствором-расплавом образование твердых растворов InGaAsSb в процессе роста эпитаксиального слоя GaSb не происходит, поскольку твердофазное растворение GaSb подложкой InAs является энергетически невыгодным. |
| format |
Article |
| author |
Марончук, И.Е. Курак, В.В. Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. |
| author_facet |
Марончук, И.Е. Курак, В.В. Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. |
| author_sort |
Марончук, И.Е. |
| title |
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_short |
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_full |
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_fullStr |
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_full_unstemmed |
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_sort |
выращивание гетероструктур gasb/inas жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2003 |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70709 |
| citation_txt |
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки / И.Е. Марончук, В.В. Курак, Е.В. Андронова, Е.А. Баганов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 6-9. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT marončukie vyraŝivaniegeterostrukturgasbinasžidkofaznojépitaksiejbezrastvoreniâpodložki AT kurakvv vyraŝivaniegeterostrukturgasbinasžidkofaznojépitaksiejbezrastvoreniâpodložki AT andronovaev vyraŝivaniegeterostrukturgasbinasžidkofaznojépitaksiejbezrastvoreniâpodložki AT baganovea vyraŝivaniegeterostrukturgasbinasžidkofaznojépitaksiejbezrastvoreniâpodložki |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:08Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:08Z |
| _version_ |
1796145692996009984 |