2025-02-23T08:42:04-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70709%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T08:42:04-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70709%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T08:42:04-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T08:42:04-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки

Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Марончук, И.Е., Курак, В.В., Андронова, Е.В., Баганов, Е.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Материалы для микроэлектроники
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70709
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Similar Items

2025-02-23T08:42:04-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70709%22&qt=morelikethis
2025-02-23T08:42:04-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70709%22&qt=morelikethis
2025-02-23T08:42:04-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T08:42:04-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Similar Items