Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
Cообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs-InGaAs-AlGaAs с активной площадью 0,93 см². Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ячеек тандемного солнечного элемента. Измеренные при спектральных условиях А...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70717 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 39-40. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70717 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-707172014-11-12T03:01:57Z Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs Круковский, С.И. Николаенко, Ю.Е. Энергетическая микроэлектроника Cообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs-InGaAs-AlGaAs с активной площадью 0,93 см². Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ячеек тандемного солнечного элемента. Измеренные при спектральных условиях АМ 1,5 (1 солнце) значения плотности фототока и напряжения холостого хода достигали значений 14,2-15,1 мА/см² и 2,35-2,43 В, соответственно, а коэффициент полезного действия - 26,4-30,1%. 2003 Article Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 39-40. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70717 621.383 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Энергетическая микроэлектроника Энергетическая микроэлектроника |
| spellingShingle |
Энергетическая микроэлектроника Энергетическая микроэлектроника Круковский, С.И. Николаенко, Ю.Е. Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Cообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs-InGaAs-AlGaAs с активной площадью 0,93 см². Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ячеек тандемного солнечного элемента. Измеренные при спектральных условиях АМ 1,5 (1 солнце) значения плотности фототока и напряжения холостого хода достигали значений 14,2-15,1 мА/см² и 2,35-2,43 В, соответственно, а коэффициент полезного действия - 26,4-30,1%. |
| format |
Article |
| author |
Круковский, С.И. Николаенко, Ю.Е. |
| author_facet |
Круковский, С.И. Николаенко, Ю.Е. |
| author_sort |
Круковский, С.И. |
| title |
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| title_short |
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| title_full |
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| title_fullStr |
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| title_full_unstemmed |
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| title_sort |
солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур gaas-ingaas-algaas |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2003 |
| topic_facet |
Энергетическая микроэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70717 |
| citation_txt |
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 39-40. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT krukovskijsi solnečnyeélementynaosnovetandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaas AT nikolaenkoûe solnečnyeélementynaosnovetandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaas |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:09Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:09Z |
| _version_ |
1796145693842210816 |