Расчет упругих механических напряжений в неоднородных полупроводниковых структурах
Проведен математический расчет упругих механических напряжений в двухслойных структурах с отличающимися упругими постоянными пленки и подложки. Выведена формула, показывающая, что возникающие в пленке механические напряжения пропорциональны ее толщине и температуре осаждения и обратно пропорциональн...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70736 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Расчет упругих механических напряжений в неоднородных полупроводниковых структурах / Ф.Д. Касимов, А.Э. Лютфалибекова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 13-14. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70736 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-707362014-11-12T03:01:53Z Расчет упругих механических напряжений в неоднородных полупроводниковых структурах Касимов, Ф.Д. Лютфалибекова, А.Э. Проектирование. Конструирование Проведен математический расчет упругих механических напряжений в двухслойных структурах с отличающимися упругими постоянными пленки и подложки. Выведена формула, показывающая, что возникающие в пленке механические напряжения пропорциональны ее толщине и температуре осаждения и обратно пропорциональны толщине подложки. 2002 Article Расчет упругих механических напряжений в неоднородных полупроводниковых структурах / Ф.Д. Касимов, А.Э. Лютфалибекова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 13-14. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70736 621.382 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Проектирование. Конструирование Проектирование. Конструирование |
| spellingShingle |
Проектирование. Конструирование Проектирование. Конструирование Касимов, Ф.Д. Лютфалибекова, А.Э. Расчет упругих механических напряжений в неоднородных полупроводниковых структурах Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Проведен математический расчет упругих механических напряжений в двухслойных структурах с отличающимися упругими постоянными пленки и подложки. Выведена формула, показывающая, что возникающие в пленке механические напряжения пропорциональны ее толщине и температуре осаждения и обратно пропорциональны толщине подложки. |
| format |
Article |
| author |
Касимов, Ф.Д. Лютфалибекова, А.Э. |
| author_facet |
Касимов, Ф.Д. Лютфалибекова, А.Э. |
| author_sort |
Касимов, Ф.Д. |
| title |
Расчет упругих механических напряжений в неоднородных полупроводниковых структурах |
| title_short |
Расчет упругих механических напряжений в неоднородных полупроводниковых структурах |
| title_full |
Расчет упругих механических напряжений в неоднородных полупроводниковых структурах |
| title_fullStr |
Расчет упругих механических напряжений в неоднородных полупроводниковых структурах |
| title_full_unstemmed |
Расчет упругих механических напряжений в неоднородных полупроводниковых структурах |
| title_sort |
расчет упругих механических напряжений в неоднородных полупроводниковых структурах |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2002 |
| topic_facet |
Проектирование. Конструирование |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70736 |
| citation_txt |
Расчет упругих механических напряжений в неоднородных полупроводниковых структурах / Ф.Д. Касимов, А.Э. Лютфалибекова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 13-14. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT kasimovfd rasčetuprugihmehaničeskihnaprâženijvneodnorodnyhpoluprovodnikovyhstrukturah AT lûtfalibekovaaé rasčetuprugihmehaničeskihnaprâženijvneodnorodnyhpoluprovodnikovyhstrukturah |
| first_indexed |
2025-07-05T19:55:22Z |
| last_indexed |
2025-07-05T19:55:22Z |
| _version_ |
1836838103507009536 |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 2
13
ÏÐÎÅÊÒÈÐÎÂÀÍÈÅ. ÊÎÍÑÒÐÓÈÐÎÂÀÍÈÅ
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
07.02 2002 ã.
Îïïîíåíò ê. ò. í. À. Ã. ØÀÉÊÎ-ØÀÉÊÎÂÑÊÈÉ
(×ÍÓ èì. Þ. Ôåäüêîâè÷à, ã. ×åðíîâöû)
Ä. ô.-ì. í. Ô. Ä. ÊÀÑÈÌÎÂ, À. Ý. ËÞÒÔÀËÈÁÅÊÎÂÀ
Àçåðáàéäæàí, ã. Áàêó, ÎÊÁ êîñìè÷åñêîãî ïðèáîðîñòðîåíèÿ
E-mail:anasa.ssddb@azeuro.net
ÐÀÑ×ÅÒ ÓÏÐÓÃÈÕ ÌÅÕÀÍÈ×ÅÑÊÈÕ ÍÀÏÐßÆÅÍÈÉ
 ÍÅÎÄÍÎÐÎÄÍÛÕ ÏÎËÓÏÐÎÂÎÄÍÈÊÎÂÛÕ ÑÒÐÓÊÒÓÐÀÕ
Âîçíèêàþùèå â ïëåíêå ìåõàíè÷åñêèå
íàïðÿæåíèÿ ïðîïîðöèîíàëüíû åå òîë-
ùèíå è òåìïåðàòóðå îñàæäåíèÿ è îá-
ðàòíî ïðîïîðöèîíàëüíû òîëùèíå ïîä-
ëîæêè.
Ìíîãîñëîéíûå ïîëóïðîâîäíèêîâûå ñòðóêòóðû,
øèðîêî ïðèìåíÿåìûå â ñîâðåìåííîé ìèêðîýëåêòðî-
íèêå, ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé íåîäíîðîäíûå òåëà êàê ïî
ñå÷åíèþ, òàê è ïî ïëîùàäè [1, 2]. Âñëåäñòâèå ýòîãî â
ìèêðîýëåêòðîííûõ èçäåëèÿõ â ïðîöåññå èçãîòîâëå-
íèÿ âîçíèêàþò óïðóãèå ìåõàíè÷åñêèå íàïðÿæåíèÿ,
âåëè÷èíà è õàðàêòåð ðàñïðåäåëåíèÿ êîòîðûõ îêàçû-
âàþò çíà÷èòåëüíîå âëèÿíèå íà ýëåêòðè÷åñêèå õàðàê-
òåðèñòèêè ïðèáîðîâ [3].
Íàïðèìåð, èçâåñòíî, ÷òî â òåðìè÷åñêè âûðàùåííûõ
ïëåíêàõ äâóîêèñè êðåìíèÿ ñóùåñòâóþò íåîäíîðîäíî
ðàñïðåäåëåííûå ïî òîëùèíå ìåõàíè÷åñêèå íàïðÿæåíèÿ
[4], ïðèâîäÿùèå ê ñäâèãó ïèêà èîííîé êîìïîíåíòû ïîë-
íîãî òîêà ïî îñè íàïðÿæåíèé [5].
Ïðè ôîðìèðîâàíèè è îáðàáîòêå òîíêèõ ïëåíîê SiO2
íàèáîëåå ñîâðåìåííûì ñïîñîáîì � áûñòðîé òåðìè-
÷åñêîé îáðàáîòêîé íåêîãåðåíòíûì ÈÊ-èçëó÷åíèåì [6]
� âñëåäñòâèå ðàçëè÷èÿ îïòè÷åñêèõ è óïðóãèõ ïîñòîÿí-
íûõ â ñòðóêòóðå ãåíåðèðóþòñÿ ïîëÿ òåðìîóïðóãèõ íà-
ïðÿæåíèé cëîæíîé ôîðìû [7].
Ïðè âûðàùèâàíèè ëîêàëüíûõ ïëåíîê ìîíî- è ïîëè-
êðèñòàëëè÷åñêîãî êðåìíèÿ â åäèíîì òåõíîëîãè÷åñêîì
ïðîöåññå [1] íà êðåìíèåâîé ïëàñòèíå p-òèïà ïðîâîäè-
ìîñòè ñîçäàþòñÿ ëîêàëüíûå îáëàñòè SiO2, ïîêðûòûå çàò-
ðàâî÷íûìè ïîëèêðåìíèåâûìè ñëîÿìè, íà êîòîðûõ â õîäå
ýïèòàêñèàëüíîãî íàðàùèâàíèÿ ìîíîêðèñòàëëè÷åñêîé
ïëåíêè n-òèïà ïðîâîäèìîñòè ôîðìèðóþòñÿ ïëåíêè ïî-
ëèêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåìíèÿ (ÏÏÊ).  ðåçóëüòàòå ïîëó-
÷àþòñÿ ñòðóêòóðû, íåîäíîðîäíûå êàê ïî ñå÷åíèþ, òàê è
ïî ïëîùàäè, âñëåäñòâèå ÷åãî â ìîíîêðèñòàëëè÷åñêèõ
îñòðîâêàõ âîçíèêàþò ìåõàíè÷åñêèå íàïðÿæåíèÿ, âîçðà-
ñòàþùèå ïðè ïðèáëèæåíèè ê èõ ïåðèôåðèè, ò. å. ê ãðàíè-
öå ðàçäåëà ìîíîïëåíêè ñ ÏÏÊ [8].
Ïîýòîìó ïðè ïðîåêòèðîâàíèè ÈÑ âàæíîå çíà÷å-
íèå èìååò çíàíèå âåëè÷èíû è õàðàêòåðà ðàñïðåäåëå-
íèÿ ìåõàíè÷åñêèõ íàïðÿæåíèé â çàâèñèìîñòè îò òî-
ïîëîãè÷åñêèõ è êîíñòðóêòèâíî-òåõíîëîãè÷åñêèõ ïà-
ðàìåòðîâ îáðàçöà.
Íàìè ïðîâåäåí ðàñ÷åò ìåõàíè÷åñêèõ íàïðÿæåíèé
äëÿ íàèáîëåå ðàñïðîñòðàíåííîé â òåõíîëîãèè ÈÑ äâóõ-
ñëîéíîé ñòðóêòóðû, ïðåäñòàâëÿþùåé ñîáîé êðåìíèå-
âóþ ýïèòàêñèàëüíóþ ïëåí-
êó, âûðàùåííóþ íà ïîäëîæ-
êå ïðîòèâîïîëîæíîãî òèïà
ïðîâîäèìîñòè (ðèñ. 1).
Îáîçíà÷èì ÷åðåç h1, ν1,
α1, E1 è h2, ν2, α2, E2 òîë-
ùèíó, êîýôôèöèåíò Ïóàñ-
ñîíà, òåìïåðàòóðíûé êîýô-
ôèöèåíò ðàñøèðåíèÿ è ìî-
äóëü Þíãà äëÿ ïîäëîæêè è
ïëåíêè, ñîîòâåòñòâåííî.
Ðåøàëàñü ñèñòåìà óðàâ-
íåíèé òåðìîóïðóãîñòè ñ ñî-
îòâåòñòâóþùèìè ãðàíè÷íûìè óñëîâèÿìè:
=
∂
∂σ+
∂
∂σ+
∂
∂σ
=
∂
∂σ+
∂
∂σ+
∂
∂σ
=
∂
∂σ+
∂
∂σ+
∂
∂σ
,0
;0
;0
333231
232221
131211
zyx
zyx
zyx
(1)
ãäå σij � íîðìàëüíûå íàïðÿæåíèÿ.
Âíåøíèå ñèëû, ïðèëîæåííûå íåïîñðåäñòâåííî ê
ïîâåðõíîñòè òåëà, âõîäÿò â ãðàíè÷íûå óñëîâèÿ óðàâ-
íåíèÿìè ðàâíîâåñèÿ:
kiki nP σ= . (2)
Åñëè íà ðàññìàòðèâàåìîå òåëî äåéñòâóåò òîëüêî
òåìïåðàòóðíîå ïîëå T(Z) è, ñëåäîâàòåëüíî, ïîâåðõ-
íîñòü òåëà ñâîáîäíà îò íàãðóçêè, òî íà âñåé ïîâåðõ-
íîñòè äîëæíû âûïîëíÿòüñÿ óñëîâèÿ
=σ+σ+σ
=σ+σ+σ
=σ+σ+σ
.0
;0
;0
333232131
323222121
313212111
nnn
nnn
nnn
(3)
Íà íèæíåé è âåðõíåé ïîâåðõíîñòÿõ (Z=0, h) ñî-
ñòàâëÿþùèå íîðìàëè n1=n2=0, à n3=1, è èç óñëîâèÿ
(3) âûòåêàåò, ÷òî
.03332233113 =σ=σ=σ=σ=σ (4)
Íà áîêîâîé ïîâåðõíîñòè n1≠0, n2≠0, n3=0, è, ñëå-
äîâàòåëüíî:
.0
;0
222121
212111
=σ+σ
=σ+σ
nn
nn
(5)
Çàïèøåì îáîáùåííûé çàêîí Ãóêà �
Ðèñ. 1. Äâóõñëîéíàÿ ýïè-
òàêñèàëüíàÿ ñòðóêòóðà
z
x
y
h 1
h 2
0
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 2
14
ÏÐÎÅÊÒÈÐÎÂÀÍÈÅ. ÊÎÍÑÒÐÓÈÐÎÂÀÍÈÅ
( )[ ]
( )[ ]
( )
≠σν+=ε
∆α+σ+σν−σ=ε
∆α+σ+σν−σ=ε
−
−
−
jiE
TE
TE
ijij ïðè,1
;
;
1
331122
1
22
332211
1
11
(6)
è óñëîâèÿ ñîâìåñòèìîñòè:
0;0;0
2
12
2
2
22
2
2
11
2
=ε=ε=ε
dz
d
dz
d
dz
d
. (7)
Çäåñü εij � îòíîñèòåëüíûå äåôîðìàöèè.
Èç (6), ñ ó÷åòîì (4), èìååì:
( )
( )
( )
σν+=ε
∆α+νσ−σ=ε
∆α+νσ−σ=ε
−
−
−
;
.1
;
12
1
12
1122
1
22
2211
1
11
E
TE
TE
(8)
Ïîäñòàâëÿÿ âûðàæåíèÿ εij èç (8) â óðàâíåíèÿ (7),
èíòåãðèðóÿ è ðàçðåøàÿ îòíîñèòåëüíî σ11, σ22 è σ12,
íàõîäèì:
( ) ( ) ( )[ ]
( ) ( ) ( )[ ]
( ) ( )
+ν+=σ
∆ν+−ν++ν+ν−=σ
∆ν+−ν++ν+ν−=σ
−
−
−
,1
;11
;11
33
1
12
1212
12
22
2121
12
11
bzaE
TabbzaaE
TabbzaaE
(9)
ãäå ai, bi � ïîñòîÿííûå èíòåãðèðîâàíèÿ.
 ñèëó èçîòðîïíîñòè σ11=σ22, à σ12=0, èç ÷åãî
ñëåäóåò, ÷òî a1=a2=a; b1=b2=b. Ñëåäîâàòåëüíî,
( ) ( ).1 1
2211 TbazE ∆α−+ν−=σ=σ − (10)
Çíà÷åíèÿ êîýôôèöèåíòîâ a è b ìîæíî íàéòè èñ-
ïîëüçóÿ ãðàíè÷íûå óñëîâèÿ íà áîêîâûõ ïîâåðõíîñ-
òÿõ, êîòîðûå óäîâëåòâîðèì èíòåãðàëüíî:
( ) ( ) .0;0
21
0
11
0
11 =σ=σ ∫∫ dzzzdzz
hh
(11)
Ïîäñòàâëÿÿ â (11) âûðàæåíèå äëÿ σ11 èç (10), íà-
õîäèì:
( ) ( )
( ) ( )
=∆α−+ν−
=∆α−+ν−
∫
∫
−
−
2
1
0
2
21
0
1
1
.01
;01
h
h
dzTzbzazE
dzTbazE
(12)
Èíòåãðèðóÿ è ïðîâåäÿ íåñëîæíûå ïðåîáðàçîâàíèÿ,
ïîëó÷àåì çíà÷åíèÿ êîýôôèöèåíòîâ:
( ) ( )
.
43
43
;
43
6
21
2112
21
21
hh
hhT
b
hh
T
a
−
α−α∆=
−
α−α∆= (13)
Ðàçäåëèâ ÷èñëèòåëü è çíàìåíàòåëü âûðàæåíèÿ äëÿ
b íà h1 è ó÷èòûâàÿ, ÷òî h1>>h2, ïîëó÷àåì óïðîùåí-
íîå âûðàæåíèå äëÿ b:
Tb ∆α= 2 . (14)
Ïîäñòàâëÿÿ çíà÷åíèÿ êîýôôèöèåíòîâ a è b â ôîð-
ìóëó (10) è ó÷èòûâàÿ, ÷òî z=h2, ïîëó÷àåì îêîí÷àòåëü-
íîå âûðàæåíèå äëÿ σ(z) â òîíêîé ïëåíêå:
( ) ( )
( )( ) .
431
6
212
2212
hh
ThE
z
−ν−
∆α−α=σ (15)
Èç ïîëó÷åííîé ôîðìóëû âèäíî, ÷òî âîçíèêàþùèå
â òîíêîé ïëåíêå ìåõàíè÷åñêèå íàïðÿæåíèÿ ïðîïîð-
öèîíàëüíû åå òîëùèíå è òåìïåðàòóðå îñàæäåíèÿ, ÷òî
ñîãëàñóåòñÿ ñ ýêñïåðèìåíòàëüíûìè äàííûìè, èìåþ-
ùèìèñÿ â ëèòåðàòóðå. Êàê ïîêàçàíî â [9, ñ. 216], âå-
ëè÷èíà ìåõàíè÷åñêèõ íàïðÿæåíèé, ýêñïåðèìåíòàëü-
íî èçìåðåííàÿ â òîíêèõ ïîëèêðèñòàëëè÷åñêèõ ïëåí-
êàõ êðåìíèÿ (â äèàïàçîíå 0,05�10 ìêì), îñàæäåí-
íûõ íà êðåìíèåâûå ïîäëîæêè, çàâèñèò îò òîëùèíû
ïëåíêè, ñîîòíîøåíèÿ òîëùèí ïëåíêè è ïîäëîæêè, òåì-
ïåðàòóðû îñàæäåíèÿ è äðóãèõ òåõíîëîãè÷åñêèõ ôàê-
òîðîâ (ðèñ. 2).
Èç ðèñ. 2 âèäíî, ÷òî âåëè÷èíà ïðîãèáà ïëåíîê (ñî-
îòâåòñòâóþùàÿ âåëè÷èíå óïðóãèõ ìåõàíè÷åñêèõ íà-
ïðÿæåíèé â íèõ) ïðîïîðöèîíàëüíà òîëùèíå ïëåíêè è
òåìïåðàòóðå îñàæäåíèÿ è îáðàòíî ïðîïîðöèîíàëüíà
òîëùèíå ïîäëîæêè, ÷òî òàêæå ñëåäóåò è èç âûâåäåí-
íîé íàìè ôîðìóëû.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Abdullyev A. G., Kasimov F. D., Mamikonova V. M. The
simultaneous growth of monocrystalline and polycrystalline silicon
films with controlled parameters // Thin Solid Films.�1984.�
Vol. 115, N 3.� P. 237�243.
2. Çàèêà Â. Â., Êàñèìîâ Ô. Ä., Ìåõòèåâ À. Ò. Ìíîãîñëîé-
íàÿ ÌÄÏ-ñòðóêòóðà â êà÷åñòâå ôèëüòðà íèçêèõ ÷àñòîò ñèñòå-
ìû ÔÀÏ× // Òð. 3-é ìåæäóíàð. ÍÒÊ «Ìèêðîýëåêòðîííûå
ïðåîáðàçîâàòåëè è ïðèáîðû íà èõ îñíîâå».� Áàêó�Ñóìãà-
èò.� 2001.� Ñ. 64�65.
3. Hezel R., Hearn E. Mechanical stress and electrical
properties of MNOS devices, as a function of the nitride depo-
sition temperature // J. Electrochem. Soc.�1978.�Vol. 125,
N 11.� P. 1848�1852.
4. Ñîêîëîâ Â. È., Ôåäîðîâè÷ Í. À. Ðåëàêñàöèÿ ìåõàíè÷åñ-
êèõ íàïðÿæåíèé â îêèñíûõ ïëåíêàõ íà êðåìíèè // Ôèçèêà òâåð-
äîãî òåëà.� 1982.� Ò. 24, ¹ 5.� Ñ. 1440�1441.
5. Ðîìàíîâ Â. Ï., Çîëî÷åâñêèé Þ. Á., Ëàð÷èêîâ À. Â., Ñà-
ïîëüêîâ À. Þ. Âëèÿíèå ìåõàíè÷åñêèõ íàïðÿæåíèé â äèýëåêò-
ðèêå íà äèíàìè÷åñêèå âîëüò-àìïåðíûå õàðàêòåðèñòèêè ÌÄÏ-
ñòðóêòóð // Èçâåñòèÿ âóçîâ. Ýëåêòðîíèêà.� 1997.� Ò. 2,
¹ 6.� Ñ. 37�43.
6. Ñâåòëè÷íûé À. Ì., Àãååâ, Î. À., Øëÿõîâîé Ä. À. Îñî-
áåííîñòè ïîëó÷åíèÿ òîíêèõ ïëåíîê SiO2 ìåòîäîì áûñòðîé òåð-
ìè÷åñêèé îáðàáîòêè // Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåê-
òðîííîé àïïàðàòóðå.� 2001.� ¹ 4�5.� Ñ. 38�43.
7. Ñå÷åíîâ Ä. À., Ñâåòëè÷íûé À. Ì., Ñîëîâüåâ Ñ. È. è äð.
Ìîäåëèðîâàíèå òåìïåðàòóðíûõ ïîëåé â ïîëóïðîâîäíèêîâûõ
ñòðóêòóðàõ ïðè áûñòðîì òåðìè÷åñêîì îòæèãå // Ôèçèêà è õèìèÿ
îáðàáîòêè ìàòåðèàëîâ.� 1994.� ¹ 2.� Ñ. 33�38.
8. Êàñèìîâ Ô. Ä., Èñìàéëîâà Ñ. À. Èññëåäîâàíèå ìåõàíè-
÷åñêèõ íàïðÿæåíèé â ýïèòàêñèàëüíûõ äàò÷èêàõ Õîëëà ðàçëè÷-
íîé êîíôèãóðàöèè // Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêò-
ðîííîé àïïàðàòóðå.� 2001.� ¹ 1.� Ñ. 35�37.
9. Êîëåøêî Â. Ì., Êîâàëåâñêèé À. À. Ïîëèêðèñòàëëè÷åñ-
êèå ïëåíêè ïîëóïðîâîäíèêîâ â ìèêðîýëåêòðîíèêå.�Ìèíñê:
Íàóêà è òåõíèêà, 1978.
Ðèñ. 2. Çàâèñèìîñòü ïðî-
ãèáà (δ) ñòðóêòóð Si�
Si3N4�poly-Si îò òîëùè-
íû ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîé
ïëåíêè (d) íà ïîäëîæêàõ
ñ îðèåíòàöèåé (111) òîë-
ùèíîé 300 (3, 4), 400 (2,
5) è 500 ìêì (1). Òåìïå-
ðàòóðà îñàæäåíèÿ 1023 Ê
(1�3) è 1123 Ê (4, 5)
δ,
ìêì
5
4
3
2
1
0 2 4 6 d, ìêì
1
2
34
5
|