Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок

Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок

Проанализированы сходства и различия размерно-геометрических параметров моделей микроструктуры серебро-палладиевых толстопленочных резисторов (ТПР). Впервые по структурной модели металлических кластеров и кластерной модели электрических связей на основе экспериментальных данных оценено число выборок...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2002
Автор: Стерхова, А.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Материалы электроники
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70746
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок / А.В. Стерхова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 63-64. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-70746
record_format dspace
spelling irk-123456789-707462014-11-12T03:01:50Z Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок Стерхова, А.В. Материалы электроники Проанализированы сходства и различия размерно-геометрических параметров моделей микроструктуры серебро-палладиевых толстопленочных резисторов (ТПР). Впервые по структурной модели металлических кластеров и кластерной модели электрических связей на основе экспериментальных данных оценено число выборок гауссовского нормального рапределения для длины и площади проводящих гранул и межгранулярного расстояния в широком диапазоне удельных сопротивлений толстопленочных резисторов. Результаты работы использованы при исследовании процессов протекания тока в ТПР. 2002 Article Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок / А.В. Стерхова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 63-64. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70746 621.315.616 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы электроники
Материалы электроники
spellingShingle Материалы электроники
Материалы электроники
Стерхова, А.В.
Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Проанализированы сходства и различия размерно-геометрических параметров моделей микроструктуры серебро-палладиевых толстопленочных резисторов (ТПР). Впервые по структурной модели металлических кластеров и кластерной модели электрических связей на основе экспериментальных данных оценено число выборок гауссовского нормального рапределения для длины и площади проводящих гранул и межгранулярного расстояния в широком диапазоне удельных сопротивлений толстопленочных резисторов. Результаты работы использованы при исследовании процессов протекания тока в ТПР.
format Article
author Стерхова, А.В.
author_facet Стерхова, А.В.
author_sort Стерхова, А.В.
title Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
title_short Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
title_full Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
title_fullStr Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
title_full_unstemmed Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
title_sort размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2002
topic_facet Материалы электроники
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70746
citation_txt Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок / А.В. Стерхова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 63-64. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT sterhovaav razmernogeometričeskieparametrymodelejmikrostrukturytolstyhrezistivnyhplenok
first_indexed 2023-10-18T18:59:12Z
last_indexed 2023-10-18T18:59:12Z
_version_ 1796145696378716160

Схожі ресурси