Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей
Рассмотрено получение методом Степанова поликристаллических полых кремниевых призм (ПКП), пригодных для производства фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. Экспериментально исследована и проанализирована структура граней ПКП в зависимости от тепловых условий выращивания....
Збережено в:
Дата: | 2002 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70805 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей / Б.П. Масенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 33-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-70805 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-708052014-11-14T03:01:44Z Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей Масенко, Б.П. Энергетическая микроэлектроника Рассмотрено получение методом Степанова поликристаллических полых кремниевых призм (ПКП), пригодных для производства фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. Экспериментально исследована и проанализирована структура граней ПКП в зависимости от тепловых условий выращивания. Reception of polycrystalline hollow silicon prisms (HSP) by Stepanov method suitable for solar cells manufacturing is considered. The structure of HSP facet is experimentally investigated and analysed depending on growth thermal conditions. 2002 Article Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей / Б.П. Масенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 33-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70805 621.315.592 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Энергетическая микроэлектроника Энергетическая микроэлектроника |
spellingShingle |
Энергетическая микроэлектроника Энергетическая микроэлектроника Масенко, Б.П. Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
description |
Рассмотрено получение методом Степанова поликристаллических полых кремниевых призм (ПКП), пригодных для производства фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. Экспериментально исследована и проанализирована структура граней ПКП в зависимости от тепловых условий выращивания. |
format |
Article |
author |
Масенко, Б.П. |
author_facet |
Масенко, Б.П. |
author_sort |
Масенко, Б.П. |
title |
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
title_short |
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
title_full |
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
title_fullStr |
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
title_full_unstemmed |
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
title_sort |
условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей |
publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
publishDate |
2002 |
topic_facet |
Энергетическая микроэлектроника |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70805 |
citation_txt |
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей / Б.П. Масенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 33-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
work_keys_str_mv |
AT masenkobp usloviâpolučeniâpolyhkremnievyhprizmdlâfotoélektričeskihpreobrazovatelej |
first_indexed |
2023-10-18T18:59:20Z |
last_indexed |
2023-10-18T18:59:20Z |
_version_ |
1796145702615646208 |